SiCセラミックトレイエンドエフェクタウェーハハンドリングカスタムメイドコンポーネント
SiCセラミックおよびアルミナセラミックカスタムコンポーネント概要
シリコンカーバイド（SiC）セラミックカスタム部品
シリコンカーバイド（SiC）セラミックカスタム部品は、その優れた性能で知られる高性能工業用セラミック材料です。非常に高い硬度、優れた熱安定性、並外れた耐腐食性、高い熱伝導性炭化ケイ素（SiC）セラミックカスタム部品は、構造の安定性を維持するのに役立ちます。高温環境下でも強酸、アルカリ、溶融金属による侵食に耐えますSiCセラミックスは次のようなプロセスで製造されます。常圧焼結、反応焼結、またはホットプレス焼結メカニカルシールリング、シャフトスリーブ、ノズル、炉管、ウェーハボート、耐摩耗ライニングプレートなど、複雑な形状にカスタマイズできます。
アルミナセラミックカスタム部品
アルミナ（Al₂O₃）セラミックカスタム部品は、高い絶縁性、優れた機械的強度、耐摩耗性純度グレード（例：95%、99%）によって分類されるアルミナ（Al₂O₃）セラミックカスタム部品は、精密機械加工により絶縁体、ベアリング、切削工具、医療用インプラントなどに加工できます。アルミナセラミックは主に以下の方法で製造されます。乾式プレス、射出成形、または静水圧プレスプロセス表面は鏡面仕上げまで磨くことができます。
XKHは、以下の研究開発とカスタム生産を専門としています。炭化ケイ素（SiC）およびアルミナ（Al₂O₃）セラミックSiCセラミック製品は、高温、高摩耗、腐食環境下を想定しており、半導体用途（ウェーハボート、カンチレバーパドル、炉管など）に加え、熱場部品や新エネルギー分野向けの高性能シールにも使用されています。アルミナセラミック製品は、絶縁性、シーリング性、生体医学的特性を重視しており、電子基板、メカニカルシールリング、医療用インプラントなどに使用されています。等方圧プレス、無加圧焼結、精密機械加工当社は、半導体、太陽光発電、航空宇宙、医療、化学処理などの業界向けに高性能のカスタマイズされたソリューションを提供し、コンポーネントが極限の条件下での精度、寿命、信頼性に関する厳しい要件を満たすことを保証しています。
SiCセラミック機能性チャックとCMP研削ディスクの紹介
SiCセラミック真空チャック
シリコンカーバイド（SiC）セラミック真空チャックは、高性能シリコンカーバイド（SiC）セラミック材料から製造された高精度吸着ツールです。半導体、太陽光発電、精密製造産業など、極度の清浄度と安定性が要求される用途向けに特別に設計されています。主な利点は、鏡面研磨された表面（0.3～0.5μmの平坦度制御）、超高剛性と低熱膨張係数（ナノレベルの形状と位置の安定性を確保）、超軽量構造（動作慣性を大幅に低減）、並外れた耐摩耗性（モース硬度最大9.5、金属チャックの寿命をはるかに超える）などです。これらの特性により、高温と低温が交互に繰り返される環境、強い腐食、高速ハンドリングなどでも安定した動作が可能になり、ウェーハや光学素子などの精密部品の加工歩留まりと生産効率が大幅に向上します。
計測・検査用シリコンカーバイド（SiC）バンプ真空チャック
ウェーハ欠陥検査工程向けに設計されたこの高精度吸着ツールは、炭化ケイ素（SiC）セラミック材料で製造されています。独自の表面バンプ構造により、強力な真空吸着力を発揮しながらウェーハとの接触面積を最小限に抑えることで、ウェーハ表面の損傷や汚染を防ぎ、検査時の安定性と精度を確保します。このチャックは、優れた平坦度（0.3～0.5μm）と鏡面研磨面を特徴とし、超軽量で高剛性であるため、高速動作時の安定性を確保します。熱膨張係数が極めて低いため、温度変化下でも寸法安定性を確保し、優れた耐摩耗性により長寿命を実現します。また、6インチ、8インチ、12インチ仕様のカスタマイズに対応し、さまざまなウェーハサイズの検査ニーズに対応します。
フリップチップボンディングチャック
フリップチップボンディングチャックは、チップフリップチップボンディングプロセスの中核部品であり、ウェーハを正確に吸着して高速・高精度ボンディング作業中の安定性を確保するように特別に設計されています。鏡面研磨された表面（平坦度・平行度≦1μm）と精密なガスチャネル溝を備え、均一な真空吸着力を実現し、ウェーハのずれや損傷を防止します。高剛性と超低熱膨張係数（シリコン材料に近い）により、高温ボンディング環境でも寸法安定性を確保し、高密度材料（炭化ケイ素や特殊セラミックスなど）がガス透過を効果的に防止し、長期真空信頼性を維持します。これらの特性が相まって、ミクロンレベルのボンディング精度を実現し、チップパッケージングの歩留まりを大幅に向上させます。
SiCボンディングチャック
シリコンカーバイド（SiC）ボンディングチャックは、チップボンディング工程の中核となる治具で、ウェーハを精密に吸着・固定するように特別に設計されており、高温・高圧のボンディング条件下でも超安定性能を発揮します。高密度シリコンカーバイドセラミックス（気孔率<0.1%）製で、ナノレベルの鏡面研磨（表面粗さRa<0.1μm）と精密ガスチャネル溝（気孔径5～50μm）により、均一な吸着力分布（偏差<5%）を実現し、ウェーハの位置ずれや表面損傷を防止します。また、超低熱膨張係数（4.5×10⁻⁶/℃）はシリコンウェーハとほぼ同等であり、熱応力による反りを最小限に抑えます。高剛性（弾性率＞400GPa）と1μm以下の平坦度／平行度を併せ持つため、接合アライメント精度を保証します。半導体パッケージング、3Dスタッキング、チップレット統合など幅広い用途に使用され、ナノスケールの精度と熱安定性が求められるハイエンド製造アプリケーションをサポートします。
CMP研削ディスク
CMP研削ディスクは、化学機械研磨（CMP）装置の中核部品であり、高速研磨中にウェーハをしっかりと保持・安定させるように特別に設計されており、ナノメートルレベルのグローバル平坦化を可能にします。高剛性・高密度材料（炭化ケイ素セラミックスや特殊合金など）で構成され、精密に設計されたガスチャネル溝により均一な真空吸着を実現します。鏡面研磨された表面（平坦度／平行度≦3μm）は、ウェーハとのストレスのない接触を保証するとともに、超低熱膨張係数（シリコンと同等）と内部冷却チャネルにより熱変形を効果的に抑制します。12インチ（直径750mm）ウェーハに対応するこのディスクは、拡散接合技術を活用することで、高温高圧下でも多層構造のシームレスな統合と長期信頼性を確保し、CMPプロセスの均一性と歩留まりを大幅に向上させます。
各種SiCセラミックス部品のカスタマイズ紹介
シリコンカーバイド（SiC）スクエアミラー
シリコンカーバイド（SiC）スクエアミラーは、高度なシリコンカーバイドセラミックから製造された高精度光学部品で、リソグラフィー装置などのハイエンド半導体製造装置向けに特別に設計されています。合理的な軽量構造設計（例：背面ハニカム空洞化）により超軽量と高剛性（弾性率> 400 GPa）を実現するとともに、極めて低い熱膨張係数（≈4.5×10⁻⁶/℃）により、温度変動下でも寸法安定性を確保しています。精密研磨後のミラー表面は、≤1μmの平坦度/平行度を達成し、並外れた耐摩耗性（モース硬度9.5）により耐用年数が長くなります。超高精度と安定性が重要なリソグラフィー装置ワークステーション、レーザー反射鏡、宇宙望遠鏡などに広く使用されています。
シリコンカーバイド（SiC）エアフロートガイド
シリコンカーバイド（SiC）エアフローテーションガイドは、非接触型空気静圧軸受技術を利用しており、圧縮ガスがミクロンレベルの空気膜（通常3～20μm）を形成して、摩擦や振動のない滑らかな動きを実現します。 精密格子スケールまたはレーザー干渉計による閉ループフィードバック制御により、ナノメートル単位の動き精度（繰り返し位置決め精度最大±75nm）とサブミクロン単位の幾何学的精度（真直度±0.1～0.5μm、平坦度≤1μm）を実現します。 コアとなるシリコンカーバイドセラミック材料（オプションでCoresic® SP/Marvel Sicシリーズなど）は、超高剛性（弾性係数>400GPa）、超低熱膨張係数（4.0～4.5×10⁻⁶/K、シリコンと同等）、高密度（多孔度<0.1%）を実現します。軽量設計（密度3.1g/cm³、アルミニウムに次ぐ軽量）により運動慣性を低減し、優れた耐摩耗性（モース硬度9.5）と熱安定性により、高速（1m/s）・高加速度（4G）条件下でも長期的な信頼性を確保します。これらのガイドは、半導体リソグラフィー、ウェーハ検査、超精密加工など、幅広い用途に使用されています。
シリコンカーバイド（SiC）クロスビーム
シリコンカーバイド（SiC）クロスビームは、半導体装置やハイエンド産業用途向けに設計されたコアモーションコンポーネントで、主にウェーハステージを搬送し、指定された軌道に沿ってガイドすることで高速・超精密モーションを実現します。高性能シリコンカーバイドセラミック（Coresic® SPまたはMarvel Sicシリーズなど）と軽量構造設計を採用することで、超軽量でありながら高剛性（弾性率＞400GPa）、超低熱膨張係数（≈4.5×10⁻⁶/℃）、高密度（多孔度＜0.1%）を実現し、熱応力および機械的応力下でもナノメートルレベルの安定性（平坦度／平行度≦1μm）を確保しています。これらの統合された特性は、高速および高加速度動作（例：1m/s、4G）をサポートし、リソグラフィー装置、ウェーハ検査システム、精密製造に最適であり、動作精度と動的応答効率を大幅に向上させます。
シリコンカーバイド（SiC）モーションコンポーネント
シリコンカーバイド（SiC）モーションコンポーネントは、高精度半導体モーションシステム用に設計された重要な部品で、高密度SiC材料（例：Coresic® SPまたはMarvel Sicシリーズ、気孔率<0.1%）と軽量構造設計を採用し、超軽量でありながら高剛性（弾性率> 400 GPa）を実現しています。超低熱膨張係数（≈4.5×10⁻⁶/℃）により、熱変動下でもナノメートルレベルの安定性（平坦性/平行度≤1μm）を確保します。これらの特性により、高速・高加速度動作（例：1m/s、4G）をサポートし、リソグラフィー装置、ウェーハ検査システム、精密製造などに最適です。これにより、モーション精度と動的応答効率が大幅に向上します。
シリコンカーバイド（SiC）光路板
シリコンカーバイド（SiC）光路プレートは、ウェーハ検査装置のデュアル光路システム向けに設計されたコアベースプラットフォームです。高性能シリコンカーバイドセラミック製で、軽量構造設計により超軽量（密度≈3.1 g/cm³）と高剛性（弾性率> 400 GPa）を実現するとともに、超低熱膨張係数（≈4.5×10⁻⁶/℃）と高密度（多孔度<0.1%）を特長としており、熱的および機械的変動下でもナノメートルレベルの安定性（平坦度/平行度≤0.02mm）を確保します。最大サイズ（900×900mm）が大きく、総合的な性能に優れているため、光学システムの長期にわたる安定した取り付けベースラインを提供し、検査精度と信頼性を大幅に向上させます。半導体計測、光学アライメント、高精度画像システムなどで広く使用されています。
グラファイト+タンタルカーバイドコーティングガイドリング
グラファイト+タンタルカーバイドコーティングガイドリングは、シリコンカーバイド（SiC）単結晶成長装置用に特別に設計された重要な部品です。その主な機能は、高温ガスの流れを正確に誘導し、反応室内の温度と流れ場の均一性と安定性を確保することです。高純度グラファイト基板（純度> 99.99%）にCVD蒸着タンタルカーバイド（TaC）層（コーティング不純物含有量<5ppm）をコーティングしたこのガイドリングは、優れた熱伝導率（≈120 W/m·K）と極度の温度下（2200℃まで耐える）での化学的不活性性を示し、シリコン蒸気腐食を効果的に防止し、不純物の拡散を抑制します。コーティングの高い均一性（偏差<3%、全面被覆）により、一貫したガスガイドと長期的なサービス信頼性が保証され、SiC単結晶成長の品質と歩留まりが大幅に向上します。
シリコンカーバイド（SiC）炉管概要
シリコンカーバイド（SiC）垂直炉管
シリコンカーバイド（SiC）垂直炉管は、高温産業機器向けに設計された重要な部品であり、主に大気雰囲気下で炉内の均一な熱分布を確保するための外部保護管として機能し、通常の動作温度は約1200°Cです。 3Dプリント統合成形技術で製造され、ベース材料の不純物含有量は<300 ppmで、オプションでCVDシリコンカーバイドコーティング（コーティング不純物<5 ppm）を装備できます。 高い熱伝導率（≈20 W / m·K）と優れた熱衝撃安定性（800°Cを超える温度勾配に耐える）を兼ね備えており、半導体熱処理、太陽光発電材料の焼結、精密セラミック製造などの高温プロセスで広く使用され、機器の熱均一性と長期信頼性を大幅に向上させます。
シリコンカーバイド（SiC）水平炉管
シリコンカーバイド（SiC）水平炉管は、高温プロセス用に設計された中核部品で、酸素（反応性ガス）、窒素（保護ガス）、微量塩化水素を含む雰囲気で動作するプロセスチューブとして機能し、典型的な動作温度は約1250℃です。 3Dプリント統合成形技術で製造され、ベース材料の不純物含有量は<300 ppmで、オプションでCVDシリコンカーバイドコーティング（コーティング不純物<5 ppm）を装備できます。 高い熱伝導率（≈20 W / m·K）と並外れた熱衝撃安定性（800℃を超える温度勾配に耐える）を兼ね備えており、酸化、拡散、薄膜堆積などの要求の厳しい半導体アプリケーションに最適で、過酷な条件下での構造的完全性、雰囲気の純度、長期的な熱安定性を保証します。
SiCセラミックフォークアームの紹介
半導体製造
半導体ウェーハ製造において、SiC セラミックフォークアームは主にウェーハの搬送と位置決めに使用され、次のような用途に使用されます。
- ウェーハ処理装置：高温、腐食性のプロセス環境でも安定して動作するウェーハカセット、プロセスボートなど。
- リソグラフィー マシン: ステージ、ガイド、ロボット アームなどの精密部品に使用され、高い剛性と低い熱変形によりナノメートル レベルの動作精度を保証します。
- エッチングおよび拡散プロセス: ICP エッチング トレイおよび半導体拡散プロセス用のコンポーネントとして使用され、高純度と耐腐食性によりプロセス チャンバー内の汚染を防止します。
産業オートメーションとロボット工学
SiCセラミックフォークアームは、高性能産業用ロボットや自動化機器の重要な部品です。
- ロボットエンドエフェクタ：ハンドリング、組み立て、精密作業に使用されます。軽量（密度約3.21 g/cm³）であるためロボットの速度と効率が向上し、高い硬度（ビッカース硬度約2500）により優れた耐摩耗性を確保します。
- 自動化生産ライン: 高頻度、高精度の取り扱いが求められるシナリオ (電子商取引の倉庫、工場の保管など) では、SiC フォークアームが長期にわたる安定したパフォーマンスを保証します。
航空宇宙と新エネルギー
過酷な環境において、SiC セラミックフォークアームは、耐高温性、耐腐食性、耐熱衝撃性を活用します。
- 航空宇宙: 宇宙船やドローンの重要な部品に使用され、軽量かつ高強度の特性により重量を軽減し、性能を向上させます。
- 新エネルギー：太陽光発電産業の生産設備（拡散炉など）やリチウムイオン電池製造の精密構造部品に応用されています。
高温工業処理
SiC セラミックフォークアームは 1600°C を超える温度に耐えることができるため、次のような用途に適しています。
- 冶金、セラミックス、ガラス産業: 高温マニピュレーター、セッタープレート、プッシュプレートに使用されます。
- 原子力エネルギー: 耐放射線性があるため、原子炉内の特定の部品に適しています。
医療機器
医療分野では、SiC セラミックフォークアームは主に以下の用途に使用されます。
- 医療用ロボットおよび手術器具: 生体適合性、耐腐食性、滅菌環境における安定性が高く評価されています。
SiCコーティングの概要
| 典型的な特性 | ユニット | 価値観 |
| 構造 |
| FCCβ相 |
| オリエンテーション | 分数（％） | 111 優先 |
| かさ密度 | g/cm³ | 3.21 |
| 硬度 | ビッカース硬度 | 2500 |
| 熱容量 | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| 熱膨張 100～600 °C (212～1112 °F) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ヤング率 | Gpa（4点曲げ、1300℃） | 430 |
| 粒度 | μm | 2～10 |
| 昇華温度 | ℃ | 2700 |
| 屈曲強度 | MPa（RT 4点） | 415 |
| 熱伝導率 | （W/mK） | 300 |
炭化ケイ素セラミック構造部品の概要
炭化ケイ素セラミック構造部品は、焼結によって結合した炭化ケイ素粒子から得られます。自動車、機械、化学、半導体、宇宙技術、マイクロエレクトロニクス、エネルギーなどの分野で広く使用され、これらの産業における様々な用途で重要な役割を果たしています。その優れた特性により、炭化ケイ素セラミック構造部品は、高温、高圧、腐食、摩耗などの過酷な条件に最適な材料となり、厳しい動作環境においても信頼性の高い性能と長寿命を実現します。SiCシール部品の概要
SiCシールは、その卓越した硬度、耐摩耗性、高温耐性（1600℃、さらには2000℃までの温度に耐える）、そして耐腐食性により、過酷な環境（高温、高圧、腐食性媒体、高速摩耗など）に最適な選択肢です。高い熱伝導性により効率的な放熱が促進され、低い摩擦係数と自己潤滑性により、過酷な動作条件下でもシールの信頼性と長寿命が確保されます。これらの特性により、SiCシールは石油化学、鉱業、半導体製造、廃水処理、エネルギーなどの業界で広く使用されており、メンテナンスコストの大幅な削減、ダウンタイムの最小化、設備の運用効率と安全性の向上に貢献しています。
SiCセラミックプレート概要
シリコンカーバイド（SiC）セラミックプレートは、その並外れた硬度（モース硬度最大9.5、ダイヤモンドに次ぐ）、優れた熱伝導率（ほとんどのセラミックをはるかに上回る効率的な熱管理性能）、そして優れた化学的不活性性と耐熱衝撃性（強酸、強アルカリ、急激な温度変化にも耐える）で知られています。これらの特性により、過酷な環境（高温、摩耗、腐食など）においても構造安定性と信頼性の高い性能が確保され、耐用年数の延長とメンテナンスの必要性の低減を実現します。
SiCセラミックプレートは、高性能分野で広く使用されています。
•研磨材と研削工具：超高硬度を活用して研削ホイールと研磨工具を製造し、研磨環境における精度と耐久性を向上させます。
•耐火材料：炉のライニングや窯の部品として使用され、1600°C を超える温度でも安定性を維持して熱効率を向上させ、メンテナンスコストを削減します。
•半導体産業：高出力電子デバイス（パワーダイオードやRFアンプなど）の基板として機能し、高電圧および高温動作をサポートして信頼性とエネルギー効率を高めます。
•鋳造と製錬：金属加工における従来の材料を置き換えて、効率的な熱伝達と化学的耐腐食性を確保し、冶金品質と費用対効果を高めます。
SiCウェーハボート概要
XKH SiCセラミックボートは、優れた熱安定性、化学的不活性、精密エンジニアリング、そして経済効率を実現し、半導体製造のための高性能キャリアソリューションを提供します。ウェーハハンドリングの安全性、清浄度、そして生産効率を大幅に向上させ、最先端のウェーハ製造に欠かせないコンポーネントとなっています。
SiCセラミックボートの用途：
SiC セラミック ボートは、次のような半導体の前工程プロセスで広く使用されています。
•蒸着プロセス：LPCVD（低圧化学蒸着法）やPECVD（プラズマ強化化学蒸着法）など。
•高温処理：熱酸化、アニーリング、拡散、イオン注入など。
•ウェット＆クリーニングプロセス：ウェーハ洗浄および化学薬品処理段階。
大気および真空プロセス環境の両方に対応し、
汚染リスクを最小限に抑え、生産効率を向上させたいと考えている工場に最適です。
SiCウェーハボートのパラメータ：
| 技術的特性 | ||||
| 索引 | ユニット | 価値 | ||
| 材質名 | 反応焼結シリコンカーバイド | 加圧焼結炭化ケイ素 | 再結晶シリコンカーバイド | |
| 構成 | RBSiC | SSiC | R-SiC | |
| かさ密度 | グラム/cm3 | 3 | 3.15 ± 0.03 | 2.60～2.70 |
| 曲げ強度 | MPa（kpsi） | 338(49) | 380(55) | 80～90（20℃）90～100（1400℃） |
| 圧縮強度 | MPa（kpsi） | 1120(158) | 3970(560) | > 600 |
| 硬度 | ヌープ | 2700 | 2800 | / |
| 粘り強さを打ち破る | MPa m1/2 | 4.5 | 4 | / |
| 熱伝導率 | W/mk | 95 | 120 | 23 |
| 熱膨張係数 | 10-6.1/°C | 5 | 4 | 4.7 |
| 比熱 | ジュール/g 0k | 0.8 | 0.67 | / |
| 空気中の最高温度 | ℃ | 1200 | 1500 | 1600 |
| 弾性係数 | 成績 | 360 | 410 | 240 |
SiCセラミックス各種カスタム部品展示
SiCセラミック膜
SiCセラミックメンブレンは、純粋な炭化ケイ素から作られた高度なろ過ソリューションです。高温焼結プロセスによって設計された堅牢な3層構造（支持層、遷移層、分離膜）を特徴としています。この設計により、卓越した機械的強度、精密な細孔径分布、そして卓越した耐久性が実現します。流体を効率的に分離、濃縮、精製することで、多様な産業用途で優れた性能を発揮します。主な用途としては、水・廃水処理（浮遊物質、バクテリア、有機汚染物質の除去）、食品・飲料加工（ジュース、乳製品、発酵液の清澄化・濃縮）、製薬・バイオテクノロジー（生体液および中間体の精製）、化学処理（腐食性流体および触媒のろ過）、石油・ガス用途（産出水の処理および汚染物質の除去）などが挙げられます。
SiCパイプ
SiC（炭化ケイ素）チューブは、半導体製造炉システム向けに設計された高性能セラミック部品で、高純度の微粒子炭化ケイ素を高度な焼結技術で製造されています。優れた熱伝導性、高温安定性（1600℃以上に耐える）、耐化学腐食性を備えています。低熱膨張係数と高い機械的強度により、過酷な熱サイクル下でも寸法安定性を確保し、熱応力による変形や摩耗を効果的に低減します。SiCチューブは、拡散炉、酸化炉、LPCVD/PECVDシステムに適しており、均一な温度分布と安定したプロセス条件を実現することで、ウェハの欠陥を最小限に抑え、薄膜堆積の均一性を向上させます。さらに、SiCは緻密で非多孔性の構造と化学的不活性を備えており、酸素、水素、アンモニアなどの反応性ガスによる浸食に強く、耐用年数を延ばし、プロセスの清浄度を確保します。 SiCチューブはサイズと壁厚をカスタマイズ可能で、精密機械加工により滑らかな内面と高い同心度を実現し、層流とバランスの取れた熱プロファイルを実現します。表面研磨やコーティングオプションにより、パーティクル発生をさらに低減し、耐腐食性を向上させることで、半導体製造における厳格な精度と信頼性の要件を満たします。
SiCセラミックカンチレバーパドル
SiCカンチレバーブレードのモノリシック設計は、複合材料によくある接合部や弱点を排除しながら、機械的堅牢性と熱均一性を大幅に向上させます。表面は鏡面に近い精密研磨が施されており、微粒子発生を最小限に抑え、クリーンルーム基準を満たしています。SiC固有の化学的慣性により、反応性環境（酸素、蒸気など）でのガス放出、腐食、プロセス汚染を防ぎ、拡散/酸化プロセスにおける安定性と信頼性を確保します。急速な熱サイクルにも関わらず、SiCは構造的完全性を維持し、耐用年数を延ばし、メンテナンスによるダウンタイムを削減します。SiCの軽量特性により、熱応答が速くなり、加熱/冷却速度が加速され、生産性とエネルギー効率が向上します。これらのブレードは、カスタマイズ可能なサイズ（100mmから300mm以上のウェーハに対応）で提供され、さまざまな炉設計に適応し、フロントエンドとバックエンドの両方の半導体プロセスで一貫したパフォーマンスを提供します。
アルミナ真空チャックの紹介
Al₂O₃ 真空チャックは半導体製造において重要なツールであり、複数のプロセスにわたって安定した正確なサポートを提供します。•薄化：ウェーハの薄化中に均一なサポートを提供し、高精度の基板削減を保証して、チップの放熱とデバイスのパフォーマンスを向上させます。
•ダイシング：ウェーハダイシング中に確実な吸着を実現し、損傷リスクを最小限に抑え、個々のチップをきれいにカットします。
•洗浄：滑らかで均一な吸着面により、洗浄プロセス中にウェーハを損傷することなく、汚染物質を効果的に除去できます。
•輸送：ウェハの取り扱いと輸送中に信頼性と安全性の高いサポートを提供し、損傷や汚染のリスクを軽減します。
1.均一なマイクロポーラスセラミック技術
• ナノパウダーを使用して、均一に分散され相互接続された細孔を作成することで、高い多孔性と均一な密度の構造が得られ、一貫した信頼性の高いウェーハサポートが実現します。
2.優れた材料特性
- 超純度 99.99% のアルミナ (Al₂O₃) から製造されており、次のような特徴があります。
•熱特性：耐熱性が高く、熱伝導性に優れているため、高温の半導体環境に適しています。
•機械的特性：高い強度と硬度により、耐久性、耐摩耗性、長寿命が保証されます。
•追加の利点：高い電気絶縁性と耐腐食性があり、さまざまな製造条件に適応できます。
3.優れた平坦性と平行度•高い平坦性と平行度により、ウェーハの精密かつ安定したハンドリングを実現し、損傷リスクを最小限に抑え、安定した処理結果を実現します。優れた通気性と均一な吸着力により、動作信頼性がさらに向上します。
Al₂O₃真空チャックは、高度なマイクロポーラス技術、優れた材料特性、高精度を統合し、重要な半導体プロセスをサポートし、薄化、ダイシング、洗浄、輸送の各段階における効率、信頼性、汚染制御を保証します。
アルミナロボットアームとアルミナセラミックエンドエフェクタの概要
アルミナ（Al₂O₃）セラミック製ロボットアームは、半導体製造におけるウェーハハンドリングに不可欠な部品です。ウェーハに直接接触し、真空や高温といった過酷な環境下において、正確な搬送と位置決めを担います。その真価は、優れた材料特性によってウェーハの安全性を確保し、汚染を防止し、装置の運用効率と歩留まりを向上させることにあります。
| 特徴ディメンション | 詳細な説明 |
| 機械的特性 | 高純度アルミナ（例：99%超）は、高い硬度（モース硬度最大9）と曲げ強度（最大250〜500 MPa）を提供し、耐摩耗性と変形防止を確保し、それによって耐用年数を延ばします。
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| 電気絶縁 | 室温抵抗率は最大 10¹⁵ Ω·cm、絶縁強度は 15 kV/mm で、静電放電 (ESD) を効果的に防止し、敏感なウェーハを電気干渉や損傷から保護します。
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| 熱安定性 | 融点が2050℃と高いため、半導体製造における高温プロセス（RTA、CVDなど）に耐えることができます。熱膨張係数が低いため、反りを最小限に抑え、加熱下でも寸法安定性を維持します。
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| 化学的不活性 | ほとんどの酸、アルカリ、プロセスガス、洗浄剤に対して不活性であり、パーティクル汚染や金属イオンの放出を防ぎます。これにより、超クリーンな製造環境が確保され、ウェーハ表面の汚染を回避できます。
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| その他の利点 | 成熟した処理技術により、高いコスト効率が実現します。表面を精密に研磨して粗さを低くすることができるため、粒子生成のリスクがさらに軽減されます。
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アルミナセラミックロボットアームは、主に次のような半導体製造プロセスの前段階で使用されます。
• ウェーハの取り扱いと位置決め：真空または高純度不活性ガス環境でウェーハ（例：100mm～300mm以上のサイズ）を安全かつ正確に搬送および配置し、損傷や汚染のリスクを最小限に抑えます。
•高温プロセス：急速熱アニーリング（RTA）、化学気相成長（CVD）、プラズマエッチングなど。高温下でも安定性を維持し、プロセスの一貫性と歩留まりを確保します。
•自動ウェーハハンドリングシステム：ウェーハハンドリングロボットにエンドエフェクタとして統合され、装置間のウェーハの転送を自動化し、生産効率を向上させます。
結論
XKHは、ロボットアーム、カンチレバーパドル、真空チャック、ウェーハボート、炉心管などの高性能部品を含む、カスタマイズされた炭化ケイ素（SiC）およびアルミナ（Al₂O₃）セラミック部品の研究開発と製造を専門とし、半導体、新エネルギー、航空宇宙、高温産業にサービスを提供しています。当社は、精密製造、厳格な品質管理、技術革新を堅持し、高度な焼結プロセス（例：常圧焼結、反応焼結）と精密加工技術（例：CNC研削、研磨）を活用することで、卓越した耐高温性、機械的強度、化学的不活性、寸法精度を確保しています。図面に基づくカスタマイズをサポートし、寸法、形状、表面仕上げ、材料グレードなど、お客様の特定の要件を満たすカスタマイズされたソリューションを提供します。当社は、世界中のハイエンド製造業に信頼性と効率性に優れたセラミック部品を提供し、お客様の設備性能と生産効率の向上に努めています。
