現在、弊社では8インチN型SiCウェハの小ロット供給を継続しております。サンプルが必要な場合は、お気軽にお問い合わせください。サンプルウェハは既に出荷準備が整っております。
半導体材料分野では、大型SiC結晶の研究開発において大きな進展を遂げました。自社製の種結晶を用いて複数回の大口径化を経て、8インチN型SiC結晶の成長に成功しました。これにより、8インチSiC結晶の成長過程における温度場の不均一性、結晶の割れ、原料の気相分布などの難題が解決され、大型SiC結晶の成長と自律制御加工技術が加速されました。これにより、SiC単結晶基板業界における同社のコア競争力が大幅に向上しました。同時に、大型SiC基板製造実験ラインの技術とプロセスの蓄積を積極的に推進し、上流と下流の分野での技術交流と産業提携を強化し、顧客と協力して製品性能を継続的に向上させ、SiC材料の産業応用のペースを共同で推進しています。
| 8インチN型SiC DSP仕様 | |||||
| 番号 | アイテム | ユニット | 生産 | 研究 | ダミー |
| 1. パラメータ | |||||
| 1.1 | ポリタイプ | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | 表面の向き | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. 電気的パラメータ | |||||
| 2.1 | ドーパント | -- | n型窒素 | n型窒素 | n型窒素 |
| 2.2 | 抵抗率 | オーム·cm | 0.015～0.025 | 0.01～0.03 | NA |
| 3. 機械的パラメータ | |||||
| 3.1 | 直径 | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | 厚さ | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | ノッチの向き | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | ノッチ深さ | mm | 1～1.5 | 1～1.5 | 1～1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm×10mm) | ≤5(10mm×10mm) | ≤10(10mm×10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | 弓 | μm | -25～25 | -45～45 | -65～65 |
| 3.8 | ワープ | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | 原子間力顕微鏡（AFM） | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. 構造 | |||||
| 4.1 | マイクロパイプ密度 | 個/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | 金属含有量 | 原子/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | 個/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | 境界性パーソナリティ障害 | 個/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | テッド | 個/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. ポジティブな性質 | |||||
| 5.1 | フロント | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | 表面仕上げ | -- | Si面CMP | Si面CMP | Si面CMP |
| 5.3 | 粒子 | ea/ウェーハ | ≤100（サイズ≥0.3μm） | NA | NA |
| 5.4 | 傷 | ea/ウェーハ | ≤5、全長≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | 角 欠け/へこみ/ひび割れ/汚れ/汚染 | -- | なし | なし | NA |
| 5.6 | ポリタイプ領域 | -- | なし | 面積≤10% | 面積≤30% |
| 5.7 | フロントマーキング | -- | なし | なし | なし |
| 6. 背面の品質 | |||||
| 6.1 | バック仕上げ | -- | C面MP | C面MP | C面MP |
| 6.2 | 傷 | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | 背面欠陥エッジ 欠け/へこみ | -- | なし | なし | NA |
| 6.4 | 背中のざらつき | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | バックマーキング | -- | ノッチ | ノッチ | ノッチ |
| 7. エッジ | |||||
| 7.1 | 角 | -- | 面取り | 面取り | 面取り |
| 8. パッケージ | |||||
| 8.1 | 包装 | -- | 真空エピ対応 包装 | 真空エピ対応 包装 | 真空エピ対応 包装 |
| 8.2 | 包装 | -- | マルチウェーハ カセットパッケージ | マルチウェーハ カセットパッケージ | マルチウェーハ カセットパッケージ |
投稿日時: 2023年4月18日