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単結晶シリコンウェーハ Si 基板タイプ N/P オプションの炭化ケイ素ウェーハ
半絶縁性SiC on Si複合基板
N型SiC on Si複合基板 直径6インチ
SiO2 薄膜熱酸化シリコンウェーハ 4 インチ 6 インチ 8 インチ 12 インチ
マイクロエレクトロニクスおよび高周波用のシリコン・オン・インシュレーター基板 SOI ウェハー 3 層
シリコン上の SOI ウェーハ絶縁体 8 インチおよび 6 インチ SOI (シリコン・オン・インシュレーター) ウェーハ
二酸化ケイ素ウェハ SiO2 ウェハ厚さ研磨済み、プライムおよびテストグレード
FZ CZ Si ウェーハ在庫 12 インチ シリコンウェーハ プライムまたはテスト
8インチシリコンウェハー P/Nタイプ(100) 1-100Ωダミー再生基板
2インチ 50.8mm シリコンウェハ FZ N型 SSP
4インチシリコンウェハ FZ CZ Nタイプ DSPまたはSSP テストグレード
6インチN型またはP型シリコンウェハ CZ Siウェハ
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