8インチ 200mm 4H-N SiC ウェハー 導電性ダミー 研究グレード
200 mm SiC ウェハー半導体材料は、その独特の物理的および電子的特性により、高性能、高温、耐放射線性、および高周波電子デバイスの作成に使用されます。 8インチSiC基板の価格は、技術の進歩と需要の増加に伴い徐々に低下しています。最近の技術開発により、200mm SiC ウェーハの量産規模の製造が可能になりました。 Si および GaAs ウェーハと比較した SiC ウェーハ半導体材料の主な利点: アバランシェ降伏時の 4H-SiC の電界強度は、Si および GaAs の対応する値よりも 1 桁以上高いです。これにより、オン状態の抵抗率 Ron が大幅に減少します。低いオン状態抵抗率と高い電流密度および熱伝導率を組み合わせることで、パワーデバイスに非常に小さなダイを使用できます。 SiC の高い熱伝導率により、チップの熱抵抗が低減されます。 SiC ウェハーをベースとしたデバイスの電子特性は、長期間にわたって非常に安定しており、温度に対しても安定しているため、製品の高い信頼性が保証されます。炭化ケイ素は、ハード放射線に対して非常に耐性があり、チップの電子特性を劣化させません。クリスタルの動作限界温度が高い (6000℃ 以上) ため、過酷な動作条件や特殊な用途向けに信頼性の高いデバイスを作成できます。現在、小ロットの 200mmSiC ウェーハを安定的かつ継続的に供給することができ、倉庫にある程度の在庫を持っています。
仕様
番号 | アイテム | ユニット | 生産 | 研究 | ダミー |
1.パラメータ | |||||
1.1 | ポリタイプ | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | 面配向 | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
2. 電気的パラメータ | |||||
2.1 | ドーパント | -- | n型窒素 | n型窒素 | n型窒素 |
2.2 | 抵抗率 | オーム・センチメートル | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
3. 機械的パラメータ | |||||
3.1 | 直径 | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
3.2 | 厚さ | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
3.3 | ノッチの向き | ° | [1-100]±5 | [1-100]±5 | [1-100]±5 |
3.4 | ノッチの深さ | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | 弓 | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
3.8 | ワープ | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | AFM | nm | Ra≦0.2 | Ra≦0.2 | Ra≦0.2 |
4. 構造 | |||||
4.1 | マイクロパイプ密度 | EA/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | 金属含有量 | 原子/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | TSD | EA/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
4.4 | 境界性パーソナリティ障害 | EA/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
4.5 | テッド | EA/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
5. ポジティブな品質 | |||||
5.1 | フロント | -- | Si | Si | Si |
5.2 | 表面仕上げ | -- | Si面CMP | Si面CMP | Si面CMP |
5.3 | 粒子 | EA/ウェーハ | ≤100(サイズ≧0.3μm) | NA | NA |
5.4 | 傷 | EA/ウェーハ | ≤5、全長≤200mm | NA | NA |
5.5 | 角 欠け/へこみ/ひび割れ/汚れ/汚れ | -- | なし | なし | NA |
5.6 | ポリタイプ領域 | -- | なし | 面積 ≤10% | 面積 ≤30% |
5.7 | フロントマーキング | -- | なし | なし | なし |
6. バッククオリティ | |||||
6.1 | バックフィニッシュ | -- | C面MP | C面MP | C面MP |
6.2 | 傷 | mm | NA | NA | NA |
6.3 | 裏面欠陥エッジ 欠け/へこみ | -- | なし | なし | NA |
6.4 | 裏面粗さ | nm | Ra≦5 | Ra≦5 | Ra≦5 |
6.5 | バックマーキング | -- | ノッチ | ノッチ | ノッチ |
7. エッジ | |||||
7.1 | 角 | -- | 面取り | 面取り | 面取り |
8. パッケージ | |||||
8.1 | 梱包 | -- | 真空でエピ対応可能 梱包 | 真空でエピ対応可能 梱包 | 真空でエピ対応可能 梱包 |
8.2 | 梱包 | -- | マルチウェーハ カセットパッケージ | マルチウェーハ カセットパッケージ | マルチウェーハ カセットパッケージ |
詳細図
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