4インチシリコンウェハ FZ CZ Nタイプ DSPまたはSSP テストグレード

簡単な説明：

シリコンウェーハは単結晶シリコンから切り出された薄いシートです。シリコンウェーハの直径は 2 インチ、3 インチ、4 インチ、6 インチ、8 インチで、主に集積回路の製造に使用されます。シリコンウェーハは単なる原材料であり、チップは最終製品です。シリコンウェーハは集積回路を作製するための重要な材料であり、シリコンウェーハ上のフォトリソグラフィーとイオン注入によってさまざまな半導体デバイスを作製できます。

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製品の詳細

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ウエハースボックスのご紹介

シリコンウェーハは、今日の成長するテクノロジー分野に不可欠な部分です。半導体材料市場では、多数の新しい集積回路デバイスを製造するために、正確な仕様を備えたシリコンウェーハが必要です。当社は、半導体製造コストが上昇するにつれて、シリコンウェーハなどの製造材料のコストも上昇することを認識しています。当社は、お客様に提供する製品の品質と費用対効果の重要性を理解しています。当社はコスト効率が高く、安定した品質のウェーハを提供します。主にシリコンウェーハ・インゴット（CZ）、エピタキシャルウェーハ、SOIウェーハを生産しています。

直径	直径	ポリッシュ	ドープされた	オリエンテーション	抵抗率/Ω・cm	厚さ/μm
2インチ	50.8±0.5mm	SSP DSP	部品番号	100	1-20	200-500
3インチ	76.2±0.5mm	SSP DSP	損益計算書	100	NA	525±20
4	101.6±0.2 101.6±0.3 101.6±0.4	SSP DSP	部品番号	100	0.001-10	200-2000
6	152.5±0.3	SSP DSP	部品番号	100	1-10	500-650
8	200±0.3	DSP SSP	部品番号	100	0.1～20	625

シリコンウェーハの応用

基板：PECVD/LPCVDコーティング、マグネトロンスパッタリング

基板：XRD、SEM、原子間力赤外分光法、透過型電子顕微鏡、蛍光分光法などの分析検査、分子線エピタキシャル成長、結晶微細構造のX線解析加工：エッチング、ボンディング、MEMSデバイス、パワーデバイス、MOSデバイスなど処理

2010年以来、上海XKHマテリアルテック。株式会社は、デバッグレベルのウェーハであるダミーウェーハ、テストレベルのウェーハであるテストウェーハから製品レベルのウェーハであるプライムウェーハ、さらには特殊ウェーハである酸化物ウェーハ、酸化膜、窒化物ウェーハSi3N4、アルミめっきウェーハ、銅めっきシリコンウェーハ、SOIウェーハ、MEMSガラス、カスタム超厚ウェーハ、超平坦ウェーハなど、サイズは50mm～300mmまであり、片面半導体ウェーハも提供可能です。 /両面研磨、薄化、ダイシング、MEMS等の加工・カスタマイズサービス。