8インチシリコンウェハー P/Nタイプ(100) 1-100Ωダミー再生基板

簡単な説明:

直径 50 ~ 400 mm のすべてのウェーハを含む両面研磨ウェーハを大量に在庫しています。お客様の仕様が当社の在庫にない場合でも、当社は多くのサプライヤーと長期的な関係を確立しており、独自の仕様に合わせてウェーハをカスタム製造することができます。両面研磨ウェーハは、半導体業界で一般的に使用されるシリコン、ガラス、その他の材料に使用できます。


製品の詳細

製品タグ

ウエハースボックスのご紹介

8 インチのシリコン ウェーハは、一般的に使用されるシリコン基板材料であり、集積回路の製造プロセスで広く使用されています。このようなシリコンウェーハは、マイクロプロセッサ、メモリチップ、センサー、その他の電子デバイスを含むさまざまなタイプの集積回路を製造するために一般的に使用されます。8 インチのシリコン ウェーハは、比較的大きなサイズのチップの製造に一般的に使用され、表面積が大きく、1 枚のシリコン ウェーハにより多くのチップを製造できるため、生産効率の向上につながるなどの利点があります。8 インチのシリコン ウェーハは、機械的および化学的特性も優れているため、大規模集積回路の製造に適しています。

製品の特徴

8インチP/Nタイプ、ポリッシュドシリコンウェハー(25枚)

方向: 200

比抵抗:0.1~40Ω・cm(ロットにより異なります)

厚さ: 725+/-20um

プライム/モニター/テストグレード

材料特性

パラメータ 特性
種類/ドーパント P、ホウ素N、リンN、アンチモンN、ヒ素
向き <100>、<111> は顧客の仕様に従って方向をスライスします
酸素含有量 1019ppmA 顧客の仕様に応じたカスタム許容差
炭素含有量 < 0.6 ppmA

機械的性質

パラメータ プライム モニター/テストA テスト
直径 200±0.2mm 200±0.2mm 200±0.5mm
厚さ 725±20μm(標準) 725±25μm(標準) 450±25μm

625±25μm

1000±25μm

1300±25μm

1500±25μm

725±50μm(標準)
TTV < 5 μm < 10 μm < 15 μm
< 30 μm < 30 μm < 50 μm
包む < 30 μm < 30 μm < 50 μm
エッジの丸み セミスタンダード
マーキング プライマリー SEMI-フラットのみ、SEMI-STD フラット Jeida フラット、ノッチ
パラメータ プライム モニター/テストA テスト
フロントサイドの基準
表面状態 化学機械研磨 化学機械研磨 化学機械研磨
表面粗さ < 2A° < 2A° < 2A°
汚染

粒子@ >0.3 µm

= 20 = 20 = 30
ヘイズ、ピット

オレンジの皮

なし なし なし
鋸、マーク

縞模様

なし なし なし
裏面の基準
ひび割れ、目じり、鋸跡、汚れ なし なし なし
表面状態 苛性エッチング

詳細図

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