FZ CZ Si ウェーハ在庫 12 インチ シリコンウェーハ プライムまたはテスト

研磨済みウェーハ

両面を特殊研磨して鏡面にしたシリコンウエハーです。純度や平坦度などの優れた特性が、このウェーハの最良の特性を定義します。

アンドープシリコンウェーハ

これらは真性シリコンウェーハとしても知られています。この半導体はウェーハ全体にドーパントが存在しない純粋なシリコンの結晶形であるため、理想的で完璧な半導体となります。

ドープシリコンウェーハ

N 型と P 型は、ドープされたシリコン ウェーハの 2 つのタイプです。

N型ドープシリコンウェーハにはヒ素またはリンが含まれています。先進的な CMOS デバイスの製造に広く使用されています。

ホウ素をドープした P 型シリコンウェーハ。主に、プリント回路またはフォトリソグラフィーの製造に使用されます。

エピタキシャルウェーハ

エピタキシャルウェーハは、表面の完全性を得るために使用される従来のウェーハです。エピタキシャルウェーハには、厚いウェーハと薄いウェーハがあります。

多層エピタキシャルウェーハや厚いエピタキシャルウェーハは、デバイスのエネルギー消費や電力制御を調整するためにも使用されます。

薄いエピタキシャル ウェーハは、優れた MOS 機器でよく使用されます。

SOIウェーハ

これらのウェーハは、単結晶シリコンの微細層をシリコンウェーハ全体から電気的に絶縁するために使用されます。SOI ウェーハは、シリコン フォトニクスおよび高性能 RF アプリケーションで一般的に使用されます。SOI ウェーハは、マイクロ電子デバイスの寄生デバイス容量を低減するためにも使用され、性能の向上に役立ちます。

なぜウェーハの製造は難しいのでしょうか?

12インチのシリコンウェーハは、歩留まりの点からスライスするのが非常に困難です。シリコンは硬いですが、脆い性質もあります。切断されたウェーハのエッジが破損する傾向があるため、粗い領域が作成されます。ダイヤモンドディスクはウェーハのエッジを滑らかにし、損傷を取り除くために使用されます。切断後のウェーハは鋭利なエッジを持つため、簡単に割れてしまいます。ウェーハのエッジは、壊れやすく鋭いエッジが排除され、滑りの可能性が低減されるように設計されています。エッジ形成操作の結果、ウェーハの直径が調整され、ウェーハが丸くなり（スライス後、切断されたウェーハは楕円形になります）、ノッチまたは方向付けされた平面が作成またはサイズ設定されます。