ニュース
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導電性および半絶縁性シリコンカーバイド基板の用途
シリコンカーバイド基板は半絶縁型と導電型に分けられ、現在、半絶縁型シリコンカーバイド基板製品の主流は4インチです。導電型シリコンカーバイド基板は、4インチが主流です。続きを読む -
結晶方位の異なるサファイアウエハーの用途にも違いはありますか？
サファイアはアルミナの単結晶で、三成分結晶系に属し、六方構造をしています。その結晶構造は、3つの酸素原子と2つのアルミニウム原子が共有結合した形で構成され、非常に密接に配列されており、強力な結合鎖と格子エネルギーを有しています。一方、その結晶密度は...続きを読む -
SiC導電性基板と半絶縁基板の違いは何ですか？
SiCシリコンカーバイドデバイスとは、シリコンカーバイドを原料として作られたデバイスを指します。抵抗特性の違いにより、導電性シリコンカーバイドパワーデバイスと半絶縁性シリコンカーバイドRFデバイスに分類されます。主なデバイスの形状と…続きを読む -
この記事はTGVのマスターを導きます
TGV とは何ですか? TGV (Through-Glass via) は、ガラス基板に貫通穴を作成する技術です。簡単に言えば、TGV はガラスの上下に穴を開け、充填し、接続して、ガラスの床上に集積回路を構築する高層ビルです。続きを読む -
ウェーハ表面品質評価の指標は何ですか？
半導体技術の継続的な発展に伴い、半導体業界、さらには太陽光発電業界においても、ウェーハ基板やエピタキシャルシートの表面品質に対する要求は非常に厳しくなっています。では、ウェーハ基板やエピタキシャルシートに求められる品質要件とは一体何なのでしょうか？続きを読む -
SiC 単結晶の成長プロセスについてどれくらいご存知ですか?
ワイドバンドギャップ半導体材料の一種であるシリコンカーバイド（SiC）は、現代の科学技術の応用においてますます重要な役割を果たしています。シリコンカーバイドは、優れた熱安定性、高い電界耐性、意図的な導電性、そして…続きを読む -
国産SiC基板の躍進
近年、新エネルギー車、太陽光発電、エネルギー貯蔵といった下流用途への継続的な浸透に伴い、SiCは新たな半導体材料としてこれらの分野で重要な役割を果たしています。…続きを読む -
SiC MOSFET、2300ボルト。
パワーキューブ・セミコンダクターは26日、韓国初となる2300V SiC（シリコンカーバイド）MOSFET半導体の開発に成功したと発表した。SiC（シリコンカーバイド）は既存のSi（シリコン）ベースの半導体と比較して高い耐電圧性を備えているため、次世代の半導体として注目されている。続きを読む -
半導体の回復は単なる幻想か？
2021年から2022年にかけて、新型コロナウイルス感染症（COVID-19）の流行に伴う特需の出現により、世界の半導体市場は急成長を遂げました。しかし、2022年後半にはCOVID-19パンデミックによる特需が終息し、その後は低迷が続きました。続きを読む -
2024年には半導体設備投資は減少した
バイデン大統領は水曜日、CHIPS・科学法に基づき、インテルに85億ドルの直接資金と110億ドルの融資を提供することで合意したと発表しました。インテルはこの資金をアリゾナ州、オハイオ州、ニューメキシコ州、オレゴン州のウェハー工場に充てる予定です。本誌の報道によると…続きを読む -
SiC ウェハーとは何ですか?
SiCウェハは炭化ケイ素（SiC）を原料とする半導体です。この材料は1893年に開発され、様々な用途に最適です。特に、ショットキーダイオード、接合障壁ショットキーダイオード、スイッチ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOS）に適しています。続きを読む -
第三世代半導体「シリコンカーバイド」の徹底解説
シリコンカーバイドの紹介 シリコンカーバイド（SiC）は、炭素とシリコンからなる複合半導体材料で、高温、高周波、高出力、高電圧デバイスの製造に最適な材料の一つです。従来のシリコンカーバイドと比較して、SiCは…続きを読む