ニュース
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薄膜堆積技術の包括的な概要：MOCVD、マグネトロンスパッタリング、PECVD
半導体製造において、フォトリソグラフィーとエッチングは最も頻繁に言及されるプロセスですが、エピタキシャル成長、すなわち薄膜堆積技術も同様に重要です。この記事では、MOCVD、磁気共鳴法など、チップ製造に用いられる一般的な薄膜堆積方法をいくつか紹介します。続きを読む -
サファイア熱電対保護管：過酷な産業環境における高精度温度検知の進化
1. 温度測定 – 産業制御の基盤 現代の産業はますます複雑かつ過酷な条件下で稼働しており、正確で信頼性の高い温度監視が不可欠となっています。様々なセンシング技術の中でも、熱電対は…続きを読む -
シリコンカーバイドがARグラスを照らし、無限の新しい視覚体験を切り開く
人類の技術の歴史は、しばしば「強化」、つまり自然の能力を増幅させる外部ツールの飽くなき追求の歴史として捉えられてきました。例えば、火は消化器系の「追加機能」として機能し、脳の発達のためのエネルギーを解放しました。19世紀後半に誕生したラジオは、…続きを読む -
サファイア：透明な宝石に秘められた「魔法」
サファイアの鮮やかな青に、心を奪われたことはありますか？その美しさで高く評価されるこのまばゆいばかりの宝石には、技術革新をもたらす可能性のある「科学的超能力」が秘められています。中国の科学者による近年の画期的な研究により、サファイアの結晶構造に隠された熱的謎が解き明かされました。続きを読む -
ラボで育成されたカラーサファイアクリスタルは、ジュエリー素材の未来となるか？その利点とトレンドの包括的分析
近年、ラボで生成されたカラーサファイア結晶は、宝飾業界において革新的な素材として登場しました。従来のブルーサファイアを超える鮮やかな色彩を放つこれらの合成宝石は、高度な技術によって生み出され、その色は…続きを読む -
第5世代半導体材料の予測と課題
半導体は情報化時代の礎石として機能し、材料の進化が人類の技術の限界を再定義してきました。第一世代のシリコンベースの半導体から今日の第四世代の超ワイドバンドギャップ材料に至るまで、あらゆる進化の飛躍が技術革新を牽引してきました。続きを読む -
レーザースライスは、将来的に8インチシリコンカーバイドの切断技術の主流となるでしょう。Q&A集
Q: SiCウェハのスライスおよび加工に用いられる主な技術は何ですか？ A: 炭化ケイ素（SiC）はダイヤモンドに次ぐ硬度を持ち、非常に硬く脆い材料と考えられています。成長した結晶を薄いウェハに切断するスライス工程は…続きを読む -
SiCウェーハ加工技術の現状と動向
第三世代半導体基板材料である炭化ケイ素（SiC）単結晶は、高周波・高出力電子デバイスの製造において幅広い応用が期待されています。SiCの加工技術は、高品質な基板の製造において決定的な役割を果たしています。続きを読む -
サファイア：「最高級」のワードローブには、ブルーだけではない
コランダムファミリーの「トップスター」であるサファイアは、「深い青のスーツ」を着こなす洗練された若者のようです。しかし、彼に何度も会ううちに、彼のワードローブはただの「青」でも、ただの「深い青」でもないことに気づくでしょう。「コーンフラワーブルー」から…続きを読む -
ダイヤモンド/銅複合材料 – 次なる大物！
1980年代以降、電子回路の集積密度は年率1.5倍以上のペースで増加しています。集積度が高まると、動作時の電流密度と発熱が増加します。この熱が効率的に放散されないと、熱故障を引き起こし、寿命を縮める可能性があります。続きを読む -
第一世代 第二世代 第三世代 半導体材料
半導体材料は、3 つの変革世代を経て進化してきました。第 1 世代 (Si/Ge) は現代のエレクトロニクスの基礎を築き、第 2 世代 (GaAs/InP) は光電子工学と高周波の障壁を打ち破って情報革命を推進し、第 3 世代 (SiC/GaN) は現在、エネルギーと拡張現実 (AR) に取り組んでいます。続きを読む -
シリコン・オン・インシュレータ製造プロセス
SOI（Silicon-On-Insulator）ウェハは、絶縁酸化物層の上に形成された極薄シリコン層を特徴とする特殊な半導体材料です。この独自のサンドイッチ構造は、半導体デバイスの性能を大幅に向上させます。構造構成：デバイス…続きを読む