業界ニュース
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レーザースライスは、将来的に8インチシリコンカーバイドの切断技術の主流となるでしょう。Q&A集
Q: SiCウェハのスライスおよび加工に用いられる主な技術は何ですか？ A: 炭化ケイ素（SiC）はダイヤモンドに次ぐ硬度を持ち、非常に硬く脆い材料と考えられています。成長した結晶を薄いウェハに切断するスライス工程は時間がかかり、欠陥が発生する傾向があります。続きを読む -
SiCウェーハ加工技術の現状と動向
第三世代半導体基板材料である炭化ケイ素（SiC）単結晶は、高周波・高出力電子デバイスの製造において幅広い応用が期待されています。SiCの加工技術は、高品質な基板の製造において決定的な役割を果たしています。続きを読む -
第三世代半導体の新星：窒化ガリウム、将来に向けて新たな成長ポイントがいくつか
シリコンカーバイドデバイスと比較すると、窒化ガリウムパワーデバイスは、効率、周波数、体積、およびその他の包括的な側面が同時に要求されるシナリオでより多くの利点を持ちます。例えば、窒化ガリウムベースのデバイスは、現在、シリコンカーバイドデバイスにうまく応用されています。続きを読む -
国内のGaN産業の発展が加速している
中国の民生用電子機器ベンダーの牽引により、窒化ガリウム (GaN) パワーデバイスの採用が飛躍的に増加しており、パワー GaN デバイス市場は 2021 年の 1 億 2,600 万ドルから 2027 年には 20 億ドルに達すると予想されています。現在、民生用電子機器部門が窒化ガリウム市場の主な牽引役となっています。続きを読む