業界ニュース
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時代の終焉？ウルフスピード社の倒産がSiC業界を一変させる
Wolfspeed社の倒産は、SiC半導体業界にとって大きな転換点を示唆しています。長年にわたりシリコンカーバイド（SiC）技術のリーダーであったWolfspeed社が今週、倒産を申請しました。これは、世界のSiC半導体業界に大きな変化をもたらすものです。同社の破綻は、SiC半導体業界の深刻な問題を浮き彫りにしています。続きを読む -
薄膜堆積技術の包括的な概要：MOCVD、マグネトロンスパッタリング、PECVD
半導体製造において、フォトリソグラフィーとエッチングは最も頻繁に言及されるプロセスですが、エピタキシャル成長、すなわち薄膜堆積技術も同様に重要です。この記事では、MOCVD、磁気共鳴法など、チップ製造に用いられる一般的な薄膜堆積方法をいくつか紹介します。続きを読む -
サファイア熱電対保護管：過酷な産業環境における高精度温度検知の進化
1. 温度測定 – 産業制御の基盤 現代の産業はますます複雑かつ過酷な条件下で稼働しており、正確で信頼性の高い温度監視が不可欠となっています。様々なセンシング技術の中でも、熱電対は…続きを読む -
シリコンカーバイドがARグラスを照らし、無限の新しい視覚体験を切り開く
人類の技術の歴史は、しばしば「強化」、つまり自然の能力を増幅させる外部ツールの飽くなき追求の歴史として捉えられてきました。例えば、火は消化器系の「追加機能」として機能し、脳の発達のためのエネルギーを解放しました。19世紀後半に誕生したラジオは、…続きを読む -
レーザースライスは、将来的に8インチシリコンカーバイドの切断技術の主流となるでしょう。Q&A集
Q: SiCウェハのスライスおよび加工に用いられる主な技術は何ですか？ A: 炭化ケイ素（SiC）はダイヤモンドに次ぐ硬度を持ち、非常に硬く脆い材料と考えられています。成長した結晶を薄いウェハに切断するスライス工程は…続きを読む -
SiCウェーハ加工技術の現状と動向
第三世代半導体基板材料である炭化ケイ素（SiC）単結晶は、高周波・高出力電子デバイスの製造において幅広い応用が期待されています。SiCの加工技術は、高品質な基板の製造において決定的な役割を果たしています。続きを読む -
第三世代半導体の新星：窒化ガリウム、将来に向けて新たな成長ポイントがいくつか
シリコンカーバイドデバイスと比較すると、窒化ガリウムパワーデバイスは、効率、周波数、体積、およびその他の包括的な側面が同時に要求されるシナリオでより多くの利点を持ちます。例えば、窒化ガリウムベースのデバイスは、現在、シリコンカーバイドデバイスにうまく応用されています。続きを読む -
国内のGaN産業の発展が加速している
中国の民生用電子機器ベンダーの牽引により、窒化ガリウム (GaN) パワーデバイスの採用が飛躍的に増加しており、パワー GaN デバイス市場は 2021 年の 1 億 2,600 万ドルから 2027 年には 20 億ドルに達すると予想されています。現在、民生用電子機器部門が窒化ガリウム市場の主な牽引役となっています。続きを読む