業界ニュース
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信頼できるシリコンウェーハサプライヤーを見つけるための秘密を解き明かす
ポケットの中のスマートフォンから自動運転車のセンサーまで、シリコンウエハーは現代技術の基盤を成しています。あらゆる場所で使用されているにもかかわらず、これらの重要部品の信頼できるサプライヤーを見つけるのは驚くほど難しい場合があります。この記事では、その鍵となる重要な点について新たな視点を提供します。続きを読む -
ガラスが新たな包装プラットフォームに
ガラスは、データセンターや通信機器を中心とする端末市場において、急速にプラットフォーム材料としての役割を担いつつあります。データセンターにおいては、チップアーキテクチャと光入出力（I/O）という2つの主要なパッケージキャリアを支えています。ガラスは低い熱膨張係数（CTE）と深紫外線（DUV）耐性を有し、優れた耐熱性を備えています。続きを読む -
チップレットはチップを変革した
1965年、インテルの共同創業者であるゴードン・ムーアは、後に「ムーアの法則」と呼ばれるものを明確に示しました。この法則は半世紀以上にわたり、集積回路（IC）の性能の着実な向上とコスト低下を支え、現代のデジタル技術の基盤となりました。つまり、チップ上のトランジスタの数が1つ増えるごとに、消費電力はほぼ2倍になるということです。続きを読む -
半導体製造における主要原材料：ウェーハ基板の種類
半導体デバイスの主要材料としてのウェーハ基板 ウェーハ基板は半導体デバイスの物理的なキャリアであり、その材料特性はデバイスの性能、コスト、そして応用分野を直接的に決定します。以下は、ウェーハ基板の主な種類とそれぞれの利点です。続きを読む -
時代の終焉？ウルフスピード社の倒産がSiC業界の様相を一変させる
Wolfspeed社の破産はSiC半導体業界にとって大きな転換点を示唆 シリコンカーバイド（SiC）技術の長年のリーダーであるWolfspeed社が今週破産を申請し、世界のSiC半導体業界に大きな変化をもたらしました。同社は…続きを読む -
薄膜堆積技術の包括的な概要：MOCVD、マグネトロンスパッタリング、PECVD
半導体製造において、フォトリソグラフィとエッチングは最も頻繁に言及されるプロセスですが、エピタキシャル成長、すなわち薄膜堆積技術も同様に重要です。この記事では、MOCVD、磁気共鳴法、薄膜堆積法など、チップ製造に用いられる一般的な薄膜堆積方法をいくつか紹介します。続きを読む -
サファイア熱電対保護管：過酷な産業環境における高精度温度検知の進化
1. 温度測定 – 産業制御の基盤 現代の産業はますます複雑かつ過酷な条件下で稼働しており、正確で信頼性の高い温度監視が不可欠となっています。様々なセンシング技術の中でも、熱電対は…続きを読む -
シリコンカーバイドがARグラスを照らし、無限の新しい視覚体験を切り開く
人類の技術の歴史は、しばしば「強化」、つまり自然の能力を増幅させる外部ツールの飽くなき追求の歴史として捉えられてきました。例えば、火は消化器系の「追加機能」として機能し、脳の発達のためのエネルギーを解放しました。19世紀後半に誕生したラジオは、…続きを読む -
レーザースライスは、将来的には8インチのシリコンカーバイドを切断する主流の技術となるでしょう。Q&A集
Q: SiCウェハのスライスおよび加工に用いられる主な技術は何ですか？ A: 炭化ケイ素（SiC）はダイヤモンドに次ぐ硬度を持ち、非常に硬く脆い材料と考えられています。成長した結晶を薄いウェハに切断するスライス工程は…続きを読む -
SiCウエハ処理技術の現状と動向
第三世代半導体基板材料である炭化ケイ素（SiC）単結晶は、高周波・高出力電子デバイスの製造において幅広い応用が期待されています。SiCの加工技術は、高品質な基板の製造において決定的な役割を果たしています。続きを読む -
第三世代半導体の新星：窒化ガリウム、将来に向けて新たな成長ポイントがいくつか
シリコンカーバイドデバイスと比較すると、窒化ガリウムパワーデバイスは、効率、周波数、体積、およびその他の包括的な側面が同時に要求されるシナリオでより多くの利点を持ちます。例えば、窒化ガリウムベースのデバイスは、現在、シリコンカーバイドデバイスにうまく応用されています...続きを読む -
国内のGaN産業の発展が加速している
中国の民生用電子機器ベンダーの主導により、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスの採用が劇的に増加しており、パワーGaNデバイス市場は2021年の1億2,600万ドルから2027年には20億ドルに達すると予想されています。現在、民生用電子機器部門が窒化ガリウム市場の主な牽引役となっています。続きを読む