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エピ層
マイクロエレクトロニクスおよび高周波用のシリコン・オン・インシュレーター基板 SOI ウェハー 3 層
シリコン上の SOI ウェーハ絶縁体 8 インチおよび 6 インチ SOI (シリコン・オン・インシュレーター) ウェーハ
6 インチ SiC エピタキシー ウェーハ N/P タイプはカスタマイズを受け入れます
MOSまたはSBD用の4インチSiC Epiウェハ
6インチGaNオンサファイア
50.8mm 2インチ GaN サファイアエピ層ウェハ
100mm 4インチ GaN on サファイアエピ層ウェハ 窒化ガリウムエピタキシャルウェハ
150mm 200mm 6インチ 8インチ GaN on Silicon エピ層ウェハ 窒化ガリウムエピタキシャルウェハ
200mm 8 インチ GaN オンサファイアエピ層ウェハ基板
4インチ 6インチ ニオブ酸リチウム単結晶膜 LNOIウェハ
NPSS/FSS 上の 50.8mm/100mm AlN テンプレート サファイア上の AlN テンプレート
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