ニュース
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炭化ケイ素セラミックス vs. 半導体炭化ケイ素：同じ材料でありながら異なる運命を辿る
炭化ケイ素（SiC）は、半導体産業と先端セラミック製品の両方で見られる注目すべき化合物です。そのため、一般の人はこれらを同じ種類の製品と勘違いすることがよくあります。実際には、SiCは化学組成は同一ですが、…続きを読む -
高純度シリコンカーバイドセラミック製造技術の進歩
高純度シリコンカーバイド（SiC）セラミックスは、その優れた熱伝導性、化学的安定性、そして機械的強度により、半導体、航空宇宙、化学産業における重要な部品に最適な材料として注目されています。高性能で低吸蔵のSiCセラミックスに対する需要が高まる中、SiCセラミックスは、その優れた熱伝導性、化学的安定性、そして機械的強度により、半導体、航空宇宙、化学産業における重要な部品に最適な材料として注目されています。続きを読む -
LEDエピタキシャルウエハの技術原理とプロセス
LEDの動作原理から、エピタキシャルウェーハ材料がLEDの中核部品であることは明らかです。実際、波長、輝度、順方向電圧といった重要な光電子パラメータは、エピタキシャルウェーハ材料によって大きく左右されます。エピタキシャルウェーハ技術と装置は…続きを読む -
高品質シリコンカーバイド単結晶の製造における重要な考慮事項
シリコン単結晶の主な製造方法には、物理気相輸送法（PVT法）、トップシード溶液成長法（TSSG法）、高温化学気相成長法（HT-CVD法）などがあります。これらのうち、PVT法は装置の簡便さ、製造工程の簡便さから、工業生産において広く採用されています。続きを読む -
絶縁体上ニオブ酸リチウム（LNOI）：光集積回路の進歩を推進
はじめに 電子集積回路 (EIC) の成功に刺激を受けて、光集積回路 (PIC) の分野は 1969 年の発足以来進化を続けています。しかし、EIC とは異なり、多様な光子アプリケーションをサポートできる汎用プラットフォームの開発は未だに課題となっています...続きを読む -
高品質の炭化ケイ素（SiC）単結晶を製造するための重要な考慮事項
高品質のシリコンカーバイド (SiC) 単結晶を製造するための重要な考慮事項 シリコンカーバイド単結晶を成長させる主な方法には、物理気相輸送法 (PVT)、トップシード溶液成長法 (TSSG)、高温化学成長法などがあります。続きを読む -
次世代LEDエピタキシャルウエハ技術：照明の未来を拓く
LEDは私たちの世界を明るく照らします。そして、あらゆる高性能LEDの心臓部には、その明るさ、色、そして効率を決定づける重要な部品であるエピタキシャルウェハがあります。エピタキシャル成長の科学を習得することで…続きを読む -
時代の終焉？ウルフスピード社の倒産がSiC業界の様相を一変させる
Wolfspeed社の破産はSiC半導体業界にとって大きな転換点を示唆 シリコンカーバイド（SiC）技術の長年のリーダーであるWolfspeed社が今週破産を申請し、世界のSiC半導体業界に大きな変化をもたらしました。同社は…続きを読む -
溶融石英における応力形成の包括的分析：原因、メカニズム、影響
1. 冷却時の熱応力（主な原因） 溶融石英は、不均一な温度条件下では応力を生じます。任意の温度において、溶融石英の原子構造は比較的「最適な」空間配置に達します。温度が変化すると、原子の空間分布は変化し、結晶構造は変化します。続きを読む -
シリコンカーバイドウェーハ/SiCウェーハの総合ガイド
SiCウェハの概要 シリコンカーバイド（SiC）ウェハは、自動車、再生可能エネルギー、航空宇宙分野における高出力、高周波、高温電子機器の基板として最適です。当社のポートフォリオは、主要なポリタイプを網羅しています…続きを読む -
薄膜堆積技術の包括的な概要：MOCVD、マグネトロンスパッタリング、PECVD
半導体製造において、フォトリソグラフィとエッチングは最も頻繁に言及されるプロセスですが、エピタキシャル成長、すなわち薄膜堆積技術も同様に重要です。この記事では、MOCVD、磁気共鳴法、薄膜堆積法など、チップ製造に用いられる一般的な薄膜堆積方法をいくつか紹介します。続きを読む -
サファイア熱電対保護管：過酷な産業環境における高精度温度検知の進化
1. 温度測定 – 産業制御の基盤 現代の産業はますます複雑かつ過酷な条件下で稼働しており、正確で信頼性の高い温度監視が不可欠となっています。様々なセンシング技術の中でも、熱電対は…続きを読む