12インチSIC基板シリコンカーバイドプライムグレード直径300mm大型4H-N高出力デバイスの放熱に適しています
製品特性
1. 高い熱伝導率:炭化ケイ素の熱伝導率はシリコンの 3 倍以上であり、高出力デバイスの放熱に適しています。
2. 高い破壊電界強度:破壊電界強度はシリコンの 10 倍で、高圧用途に適しています。
3.広いバンドギャップ:バンドギャップは3.26eV(4H-SiC)で、高温および高周波アプリケーションに適しています。
4. 高い硬度:モース硬度は9.2でダイヤモンドに次ぐ硬度で、耐摩耗性と機械的強度に優れています。
5.化学的安定性:耐腐食性が強く、高温や過酷な環境でも安定した性能を発揮します。
6. 大サイズ:12インチ(300mm)基板、生産効率を向上し、単位コストを削減します。
7. 低欠陥密度: 低欠陥密度と高い一貫性を保証する高品質の単結晶成長技術。
製品の主な用途方向
1. パワーエレクトロニクス:
MOSFET: 電気自動車、産業用モーター駆動装置、電力コンバーターに使用されます。
ダイオード: ショットキー ダイオード (SBD) など、効率的な整流およびスイッチング電源に使用されます。
2. RFデバイス:
RFパワーアンプ:5G通信基地局や衛星通信に使用されます。
マイクロ波デバイス:レーダーや無線通信システムに適しています。
3. 新エネルギー車:
電気駆動システム:電気自動車用のモーター コントローラーとインバーター。
充電パイル: 急速充電機器用の電源モジュール。
4. 産業用途:
高電圧インバータ: 産業用モーター制御およびエネルギー管理用。
スマートグリッド: HVDC 送電および電力エレクトロニクス変圧器向け。
5. 航空宇宙:
高温電子機器:航空宇宙機器の高温環境に適しています。
6. 研究分野:
ワイドバンドギャップ半導体研究:新しい半導体材料およびデバイスの開発。
12インチシリコンカーバイド基板は、高熱伝導率、高破壊電界強度、広いバンドギャップなどの優れた特性を持つ高性能半導体材料基板の一種です。パワーエレクトロニクス、高周波デバイス、新エネルギー車、産業用制御、航空宇宙分野など、幅広い分野で利用されており、次世代の高効率・高出力電子デバイスの開発を促進する重要な材料です。
シリコンカーバイド基板は、ARグラスなどの民生用電子機器への直接的な応用は現時点では少ないものの、効率的な電力管理と小型電子機器への応用における潜在能力は、将来のAR/VRデバイス向けの軽量・高性能な電源ソリューションを支える可能性があります。現在、シリコンカーバイド基板の主な開発は、新エネルギー車、通信インフラ、産業オートメーションなどの産業分野に集中しており、半導体産業のより効率的で信頼性の高い方向への発展を促進しています。
XKH は、包括的な技術サポートとサービスを備えた高品質の 12 インチ SIC 基板を提供することに尽力しています。これには以下が含まれます。
1. カスタマイズ生産: お客様のニーズに応じて、異なる抵抗率、結晶配向、表面処理基板を提供します。
2. プロセス最適化:エピタキシャル成長、デバイス製造などのプロセスに関する技術サポートを顧客に提供し、製品のパフォーマンスを向上させます。
3. テストと認証: 基板が業界標準を満たしていることを確認するために、厳格な欠陥検出と品質認証を提供します。
4.研究開発協力:顧客と共同で新しいシリコンカーバイドデバイスを開発し、技術革新を促進します。
データチャート
1 2インチシリコンカーバイド(SiC)基板仕様 | |||||
学年 | ZeroMPDプロダクション グレード(Zグレード) | 標準生産 グレード(Pグレード) | ダミーグレード (Dグレード) | ||
直径 | 300mm~305mm | ||||
厚さ | 4H-N | 750μm±15μm | 750μm±25μm | ||
4H-SI | 750μm±15μm | 750μm±25μm | |||
ウェーハの向き | オフアクシス:4H-Nの場合、<1120>±0.5°方向に4.0°、オンアクシス:4H-SIの場合、<0001>±0.5° | ||||
マイクロパイプ密度 | 4H-N | ≤0.4cm-2 | ≤4cm-2 | ≤25cm-2 | |
4H-SI | ≤5cm-2 | ≤10cm-2 | ≤25cm-2 | ||
抵抗率 | 4H-N | 0.015~0.024Ω·cm | 0.015~0.028Ω·cm | ||
4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | |||
プライマリフラットオリエンテーション | {10-10} ±5.0° | ||||
プライマリフラット長さ | 4H-N | 該当なし | |||
4H-SI | ノッチ | ||||
エッジ除外 | 3ミリメートル | ||||
LTV/TTV/ボウ/ワープ | 5μm以下/15μm以下/35μm以下/55μm以下 | 5μm以下/15μm以下/35μm以下/55μm以下 | |||
粗さ | 研磨Ra≤1 nm | ||||
CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
高強度光によるエッジクラック 高輝度ライトによる六角プレート 高強度光によるポリタイプ領域 視覚的な炭素含有物 高強度光によるシリコン表面の傷 | なし 累積面積≤0.05% なし 累積面積≤0.05% なし | 累計長さ≤20 mm、単一長さ≤2 mm 累積面積≤0.1% 累積面積≤3% 累積面積≤3% 累積長さ≤1×ウェーハ直径 | |||
高強度光によるエッジチップ | 幅と深さは0.2mm以上は許可されません | 7個まで許容、各1 mm以下 | |||
(TSD)ねじ山脱臼 | ≤500 cm-2 | 該当なし | |||
(BPD) 基底面転位 | ≤1000 cm-2 | 該当なし | |||
高強度光によるシリコン表面汚染 | なし | ||||
パッケージ | マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ | ||||
注記: | |||||
1 欠陥制限は、エッジ除外領域を除くウェーハ表面全体に適用されます。 2傷はSi面のみで確認します。 3 転位データは KOH エッチングされたウェーハからのみ得られます。 |
XKHは、12インチSiC基板の大面積化、低欠陥化、高均一性化の実現に向けて研究開発への投資を継続するとともに、コンシューマーエレクトロニクス(AR/VRデバイス用電源モジュールなど)や量子コンピューティングといった新興分野への応用を模索していきます。コスト削減と生産能力の増強により、XKHは半導体産業の繁栄に貢献します。
詳細図


