2インチシリコンカーバイドウェハー 6Hまたは4H N型または半絶縁SiC基板

4H SiCウェハ N型
直径: 2インチ 50.8mm | 4インチ 100mm | 6インチ 150mm
方向: 軸外 4.0˚ (<1120> 方向) ± 0.5˚
抵抗率: < 0.1 オーム・cm
粗さ: Si面CMP Ra <0.5nm、C面光学研磨 Ra <1nm

4H SiCウェハ 半絶縁
直径: 2インチ 50.8mm | 4インチ 100mm | 6インチ 150mm
方向: 軸{0001} ± 0.25˚
抵抗率: >1E5 オーム・cm
粗さ: Si面CMP Ra <0.5nm、C面光学研磨 Ra <1nm

1. 5Gインフラ - 通信電源。
通信電源は、サーバーや基地局の通信に必要なエネルギー基盤です。通信システムの正常な動作を確保するために、各種伝送機器に電力を供給します。

2.新エネルギー自動車の充電スタンド - 充電スタンドの電源モジュール。
充電パイルパワーモジュールにシリコンカーバイドを使用することで、充電パイルパワーモジュールの高効率と高出力を実現でき、充電速度が向上し、充電コストが削減されます。

3. ビッグデータセンター、産業用インターネット - サーバー電源。
サーバー電源はサーバーのエネルギーライブラリです。サーバーはサーバーシステムの正常な動作を確保するために電力を供給します。サーバー電源にシリコンカーバイド電源部品を使用することで、サーバー電源の電力密度と効率が向上し、データセンター全体の容積が縮小され、データセンター全体の建設コストが削減され、環境効率が向上します。

4. Uhv - フレキシブル伝送 DC 回路ブレーカーの応用。

5. 都市間高速鉄道および都市間軌道交通 - 牽引変換器、電力電子変圧器、補助変換器、補助電源装置。