2 インチ炭化ケイ素ウェハ 6H または 4H N タイプまたは半絶縁性 SiC 基板
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4H SiCウェハ N型
直径: 2インチ50.8mm | 4インチ100mm | 6インチ150mm
方向: 軸外 4.0° <1120> 方向 ± 0.5°
抵抗率: < 0.1 オーム・センチメートル
粗さ: Si 面 CMP Ra <0.5nm、C 面光学研磨 Ra <1 nm
4H SiCウェハ 半絶縁性
直径: 2インチ50.8mm | 4インチ100mm | 6インチ150mm
方向: 軸上 {0001} ± 0.25˚
抵抗率: >1E5 ohm.cm
粗さ: Si 面 CMP Ra <0.5nm、C 面光学研磨 Ra <1 nm
1. 5Gインフラ -- 通信電源。
通信電源は、サーバーと基地局の通信のためのエネルギー基盤です。さまざまな伝送装置に電力を供給し、通信システムの正常な動作を確保します。
2. 新エネルギー車の充電パイル -- 充電パイルの電源モジュール。
充電パイル電源モジュールに炭化ケイ素を使用することにより、充電パイル電源モジュールの高効率および高出力を実現でき、充電速度が向上し、充電コストが削減されます。
3. ビッグデータセンター、産業用インターネット -- サーバー電源。
サーバーの電源はサーバーのエネルギー ライブラリです。サーバーは、サーバー システムが正常に動作するように電力を供給します。サーバー電源に炭化ケイ素電源コンポーネントを使用すると、サーバー電源の電力密度と効率が向上し、データセンター全体の容積が削減され、データセンターの全体的な建設コストが削減され、より高い環境性能が実現されます。効率。
4. Uhv - フレキシブル伝送 DC サーキットブレーカーの適用。
5. 都市間高速鉄道および都市間鉄道輸送 -- トラクションコンバータ、パワーエレクトロニクス変圧器、補助コンバータ、補助電源。
パラメータ
プロパティ | ユニット | シリコン | SiC | GaN |
バンドギャップ幅 | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
内訳フィールド | MV/cm | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
電子移動度 | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
ドリフトの勇気 | 10^7 cm/秒 | 1 | 2.7 | 2.5 |
熱伝導率 | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |