2インチ 50.8mm ゲルマニウムウエハ基板 単結晶 1SP 2SP

簡単な説明:

高純度ゲルマニウムは、半導体デバイスの製造に使用される半導体材料です。微量の特定の不純物をドープしたゲルマニウム単結晶は、さまざまなトランジスタ、整流器、その他のデバイスの製造に使用できます。高純度ゲルマニウム単結晶は屈折率が高く、可視光や赤外光を通さず赤外まで透明で、赤外光用のプリズムやレンズとして使用できます。ゲルマニウム化合物は、蛍光板や各種高屈折ガラスの製造に使用されています。放射線検出器や熱電材料にも使用されます。


製品詳細

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詳細情報

ゲルマニウムチップは半導体の性質を持っています。固体物理学および固体エレクトロニクスの発展において重要な役割を果たしてきました。ゲルマニウムの溶融密度は5.32g/cm 3 で、ゲルマニウムは薄い散乱金属に分類され、ゲルマニウムの化学的安定性があり、室温では空気や水蒸気と相互作用しませんが、600〜700℃では急速に二酸化ゲルマニウムが生成されます。 。塩酸、希硫酸には使用できません。濃硫酸を加熱するとゲルマニウムがゆっくりと溶解します。ゲルマニウムは硝酸や王水に容易に溶解します。ゲルマニウムに対するアルカリ溶液の影響は非常に弱いですが、空気中の溶融アルカリによりゲルマニウムは急速に溶解します。ゲルマニウムは炭素とは作用しないため、黒鉛るつぼの中で溶解され、炭素によって汚染されることはありません。ゲルマニウムは、電子移動度、正孔移動度などの優れた半導体特性を備えています。ゲルマニウムの開発にはまだ大きな可能性があります。

仕様

成長方法 CZ
結晶構造 立方体系
格子定数 a=5.65754Å
密度 5.323g/cm3
融点 937.4℃
ドーピング アンドーピング ドーピング-Sb ドーピングガ
タイプ /

N

P
抵抗 >35Ωcm 0.01~35Ωcm 0.05~35Ωcm
EPD <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2
直径 2インチ/50.8mm
厚さ 0.5mm、1.0mm
表面 DSPとSSP
向き <100>、<110>、<111>、±0.5°
Ra ≤5Å(5μm×5μm)
パッケージ 100グレードパッケージ、1000グレードルーム

詳細図

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