2インチ 50.8mm ゲルマニウムウエハー基板 単結晶 1SP 2SP

簡単な説明:

高純度ゲルマニウムは、半導体デバイスの製造に使用される半導体材料です。微量の特定不純物を添加したゲルマニウム単結晶は、様々なトランジスタ、整流器、その他のデバイスの製造に使用できます。高純度ゲルマニウム単結晶は屈折率が高く、赤外線は透過しますが、可視光と赤外線は透過しません。そのため、赤外線用のプリズムやレンズとして使用できます。ゲルマニウム化合物は、蛍光板や各種高屈折率ガラスの製造に使用されます。また、放射線検出器や熱電材料にも使用されます。


製品詳細

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詳細情報

ゲルマニウムチップは半導体特性を有し、固体物理学および固体電子工学の発展において重要な役割を果たしてきました。ゲルマニウムの融点密度は5.32g/cm 3で、薄い分散金属に分類されます。ゲルマニウムは化学的に安定しており、室温では空気や水蒸気と反応しませんが、600~700℃で急速に二酸化ゲルマニウムを生成します。塩酸、希硫酸とは反応しません。濃硫酸を加熱すると、ゲルマニウムはゆっくりと溶解します。硝酸、王水ではゲルマニウムは容易に溶解します。アルカリ溶液のゲルマニウムへの影響は非常に弱いですが、空気中の溶融アルカリはゲルマニウムを急速に溶解させます。ゲルマニウムは炭素と反応しないため、グラファイトるつぼで溶解するため、炭素に汚染されることはありません。ゲルマニウムは、電子移動度、正孔移動度などの優れた半導体特性を有しています。ゲルマニウムの開発は依然として大きな可能性を秘めています。

仕様

成長方法 CZ
クリスタル研究所 立方体
格子定数 a=5.65754Å
密度 5.323g/cm3
融点 937.4℃
ドーピング ドーピング解除 ドーピング-Sb ドーピング-Ga
タイプ /

N

P
抵抗 >35Ωcm 0.01~35Ωcm 0.05~35Ωcm
EPD <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2
直径 2インチ/50.8 mm
厚さ 0.5mm、1.0mm
表面 DSPとSSP
オリエンテーション <100>、<110>、<111>、±0.5°
Ra ≤5Å(5µm×5µm)
パッケージ 100グレードパッケージ、1000グレードルーム

詳細図

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