3インチSiC基板生産径76.2mm 4H-N

3 インチ シリコン カーバイド MOSFET ウェハーの主な特徴は次のとおりです。

シリコンカーバイド（SiC）は、高い熱伝導率、高い電子移動度、そして高い破壊電界強度を特徴とするワイドバンドギャップ半導体材料です。これらの特性により、SiCウェハは高出力、高周波、高温用途において優れた性能を発揮します。特に4H-SiCポリタイプは、その結晶構造が優れた電子特性を発揮するため、パワーエレクトロニクスデバイスに最適な材料となっています。

3インチシリコンカーバイド4H-Nウェハは、窒素ドープされたN型導電性ウェハです。このドーピング方法により、ウェハの電子濃度が高まり、デバイスの導電性が向上します。3インチ（直径76.2mm）のウェハサイズは、半導体業界で一般的に使用されている寸法であり、様々な製造プロセスに適しています。

3インチシリコンカーバイド4H-Nウェーハは、物理気相輸送（PVT）法を用いて製造されます。このプロセスでは、SiC粉末を高温で単結晶化することで、ウェーハの結晶品質と均一性を確保します。さらに、ウェーハの厚さは通常約0.35mmで、表面は両面研磨が施され、後続の半導体製造プロセスに不可欠な極めて高い平坦性と平滑性を実現しています。

3インチシリコンカーバイド4H-Nウェハの応用範囲は広く、高出力電子デバイス、高温センサー、RFデバイス、光電子デバイスなどが含まれます。優れた性能と信頼性により、これらのデバイスは過酷な条件下でも安定して動作し、現代のエレクトロニクス産業における高性能半導体材料の需要を満たします。

4H-N 3インチSiC基板をはじめ、各種グレードの基板ストックウェハをご提供いたします。また、お客様のニーズに合わせたカスタマイズも承っております。お気軽にお問い合わせください。