3インチSiC基板 生産径76.2mm 4H-N

3 インチ炭化ケイ素 MOSFET ウェーハの主な特長は次のとおりです。

炭化ケイ素 (SiC) は、高い熱伝導率、高い電子移動度、および高い絶縁破壊電界強度を特徴とするワイドバンドギャップ半導体材料です。これらの特性により、SiC ウェーハは高出力、高周波、高温の用途において優れた性能を発揮します。特に 4H-SiC ポリタイプでは、その結晶構造により優れた電子性能が得られるため、パワー エレクトロニクス デバイスに最適な材料となっています。

3 インチの炭化ケイ素 4H-N ウェーハは、N 型導電性を備えた窒素ドープウェーハです。このドーピング方法により、ウェーハの電子濃度が高くなり、デバイスの導電性能が向上します。ウェーハのサイズは 3 インチ (直径 76.2 mm) で、半導体業界で一般的に使用されている寸法であり、さまざまな製造プロセスに適しています。

3 インチの炭化ケイ素 4H-N ウェハは、物理蒸気輸送 (PVT) 法を使用して製造されます。このプロセスには、高温で SiC 粉末を単結晶に変換することが含まれ、ウェーハの結晶品質と均一性が保証されます。さらに、ウェハの厚さは通常約 0.35 mm で、その表面には両面研磨が施され、後続の半導体製造プロセスに不可欠な極めて高いレベルの平坦性と平滑性が実現されます。

3 インチ炭化ケイ素 4H-N ウェーハの応用範囲は、高出力電子デバイス、高温センサー、RF デバイス、光電子デバイスなど広範囲に及びます。その優れた性能と信頼性により、これらのデバイスは極端な条件下でも安定して動作することができ、現代のエレクトロニクス産業における高性能半導体材料の需要に応えます。

4H-N 3 インチ SiC 基板、さまざまなグレードの基板ストックウェーハを提供できます。ご要望に応じてカスタマイズも承ります。お問い合わせ大歓迎！