4インチ サファイア ウエハー C面 SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
アプリケーション
● III-V 族および II-VI 族化合物の成長基板。
● エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス。
●IRアプリケーション。
● シリコンオンサファイア集積回路（SOS）。
● 無線周波数集積回路（RFIC）。
LED製造においては、電流を流すと発光する窒化ガリウム（GaN）結晶の成長基板としてサファイアウェハが用いられます。サファイアはGaNと結晶構造や熱膨張係数が類似しており、欠陥を最小限に抑え、結晶品質を向上させるため、GaN成長に最適な基板材料です。
光学分野では、サファイアウエハーは透明性と硬度に優れているため、高圧・高温環境や赤外線画像システムにおける窓やレンズとして使用されています。
仕様
| アイテム | 4インチC面(0001)650μmサファイアウエハ | |
| 結晶材料 | 99,999%、高純度、単結晶Al2O3 | |
| 学年 | プライム、エピレディ | |
| 表面の向き | C面(0001) | |
| C 面の M 軸に対するオフ角度 0.2 +/- 0.1° | ||
| 直径 | 100.0 mm +/- 0.1 mm | |
| 厚さ | 650 μm +/- 25 μm | |
| プライマリフラットオリエンテーション | A面(11-20) +/- 0.2° | |
| プライマリフラット長さ | 30.0 mm +/- 1.0 mm | |
| 片面研磨 | 前面 | エピ研磨、Ra < 0.2 nm（AFMによる） |
| （SSP） | 裏面 | 細粒、Ra = 0.8 μm～1.2 μm |
| 両面研磨 | 前面 | エピ研磨、Ra < 0.2 nm（AFMによる） |
| （DSP） | 裏面 | エピ研磨、Ra < 0.2 nm（AFMによる） |
| TTV | 20μm未満 | |
| 弓 | 20μm未満 | |
| ワープ | 20μm未満 | |
| 清掃・梱包 | クラス100クリーンルーム洗浄および真空包装、 | |
| 1カセット包装または1個包装で25個入り。 | ||
梱包と配送
一般的に、当社は 25 個入りカセット ボックスでパッケージを提供しますが、顧客の要件に応じて、100 グレードの洗浄室で単一のウェーハ コンテナーで梱包することもできます。
詳細図
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