4 インチサファイアウェーハ C プレーン SSP/DSP 0.43mm 0.65mm

簡単な説明:

サファイアは、物理的、化学的、光学的特性を独自に組み合わせた素材であり、高温、熱衝撃、水や砂の浸食、傷に対する耐性を備えています。

製品詳細

製品タグ

アプリケーション

● III-V および II-VI 化合物の成長基質。
● エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス。
● IR アプリケーション。
● シリコン・オン・サファイア集積回路(SOS)。
● 無線周波数集積回路(RFIC)。
LED の製造では、電流を流すと発光する窒化ガリウム (GaN) 結晶を成長させるための基板としてサファイアウェーハが使用されます。サファイアは、GaN と同様の結晶構造と熱膨張係数を持ち、欠陥が最小限に抑えられ、結晶品質が向上するため、GaN 成長に理想的な基板材料です。

光学分野では、サファイアウェーハは、その高い透明性と硬度により、高圧高温環境での窓やレンズとして、また赤外線イメージングシステムとして使用されます。

仕様

アイテム	4インチ C面(0001) 650μm サファイアウェハ
水晶材料	99,999%、高純度、単結晶Al2O3
学年	プライム、エピ対応
面の配向	C面(0001)
	M 軸方向の C 面オフ角 0.2 +/- 0.1°
直径	100.0mm +/- 0.1mm
厚さ	650μm +/- 25μm
プライマリフラット方向	A面(11-20) +/- 0.2°
一次平坦長さ	30.0mm +/- 1.0mm
片面研磨	前面	エピ研磨、Ra < 0.2 nm (AFM による)
(SSP)	背面	微粉砕、Ra = 0.8 μm ～ 1.2 μm
両面研磨	前面	エピ研磨、Ra < 0.2 nm (AFM による)
(DSP)	背面	エピ研磨、Ra < 0.2 nm (AFM による)
TTV	< 20μm
弓	< 20μm
ワープ	< 20μm
洗浄・梱包	クラス100のクリーンルーム洗浄と真空包装、
	25枚入り1カセット包装または単品包装。