6インチGaNオンサファイア
150mm 6インチ GaN on シリコン/サファイア/SiC エピ層ウェーハ 窒化ガリウムエピタキシャルウェーハ
6インチサファイア基板ウエハは、サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN）層を成長させた高品質の半導体材料です。この材料は優れた電子輸送特性を有し、高出力・高周波半導体デバイスの製造に最適です。
製造方法：製造プロセスでは、有機金属化学気相成長法（MOCVD）や分子線エピタキシー法（MBE）などの高度な技術を用いて、サファイア基板上にGaN層を成長させます。この成長プロセスは、高い結晶品質と均一な膜を確保するために、制御された条件下で行われます。
6 インチ GaN-On-Sapphire アプリケーション: 6 インチのサファイア基板チップは、マイクロ波通信、レーダー システム、無線技術、オプトエレクトロニクスで広く使用されています。
一般的な用途としては、
1. RFパワーアンプ
2. LED照明業界
3. 無線ネットワーク通信機器
4. 高温環境における電子機器
5. 光電子デバイス
製品仕様
・サイズ：基板直径6インチ（約150mm）です。
- 表面品質: 表面は細かく研磨されており、優れた鏡面品質を実現しています。
- 厚さ: GaN 層の厚さは、特定の要件に応じてカスタマイズできます。
- 梱包：輸送中の損傷を防ぐために、基板は静電気防止材で丁寧に梱包されています。
- 位置決めエッジ: 基板には、デバイスの準備中の位置合わせと操作を容易にする特定の位置決めエッジがあります。
- その他のパラメータ: 薄さ、抵抗率、ドーピング濃度などの特定のパラメータは、顧客の要件に応じて調整できます。
6 インチ サファイア基板ウェーハは、優れた材料特性と多様な用途により、さまざまな産業における高性能半導体デバイスの開発に信頼できる選択肢となっています。
| 基板 | 6インチ 1mm <111> p型Si | 6インチ 1mm <111> p型Si |
| エピシック平均 | 約5ミクロン | 約7ミクロン |
| エピシックユニフ | <2% | <2% |
| 弓 | +/-45um | +/-45um |
| クラッキング | 5mm未満 | 5mm未満 |
| 垂直BV | 1000V以上 | 1400V以上 |
| HEMTアルミニウム% | 25～35% | 25～35% |
| HEMT 厚さ平均 | 20～30nm | 20～30nm |
| インサイチューSiNキャップ | 5～60nm | 5～60nm |
| 2DEG濃度 | 約1013cm-2 | 約1013cm-2 |
| モビリティ | 約2000cm2/対（<2％） | 約2000cm2/対（<2％） |
| ルシュ | <330Ω/平方（<2%） | <330Ω/平方（<2%） |
詳細図
