8インチ 200mm 4H-N SiC ウェハー 導電性ダミー 研究グレード

200 mm SiC ウェハー半導体材料は、その独特の物理的および電子的特性により、高性能、高温、耐放射線性、および高周波電子デバイスの作成に使用されます。 8インチSiC基板の価格は、技術の進歩と需要の増加に伴い徐々に低下しています。最近の技術開発により、200mm SiC ウェーハの量産規模の製造が可能になりました。 Si および GaAs ウェーハと比較した SiC ウェーハ半導体材料の主な利点: アバランシェ降伏時の 4H-SiC の電界強度は、Si および GaAs の対応する値よりも 1 桁以上高いです。これにより、オン状態の抵抗率 Ron が大幅に減少します。低いオン状態抵抗率と高い電流密度および熱伝導率を組み合わせることで、パワーデバイスに非常に小さなダイを使用できます。 SiC の高い熱伝導率により、チップの熱抵抗が低減されます。 SiC ウェハーをベースとしたデバイスの電子特性は、長期間にわたって非常に安定しており、温度に対しても安定しているため、製品の高い信頼性が保証されます。炭化ケイ素は、ハード放射線に対して非常に耐性があり、チップの電子特性を劣化させません。クリスタルの動作限界温度が高い (6000℃ 以上) ため、過酷な動作条件や特殊な用途向けに信頼性の高いデバイスを作成できます。現在、小ロットの 200mmSiC ウェーハを安定的かつ継続的に供給することができ、倉庫にある程度の在庫を持っています。