8インチ 200mm 4H-N SiC ウェーハ 導電性ダミー 研究グレード

200mm SiCウェーハ半導体材料は、そのユニークな物理的および電子的特性により、高性能、高温、放射線耐性、高周波電子デバイスの作成に使用されます。 8インチSiC基板の価格は、技術の進歩と需要の増加に伴い徐々に低下しています。 最近の技術開発により、200mm SiCウェーハの量産規模生産が可能になりました。 SiおよびGaAsウェーハと比較したSiCウェーハ半導体材料の主な利点： アバランシェブレークダウン中の4H-SiCの電界強度は、SiおよびGaAsの対応する値よりも1桁以上高くなります。 これにより、オン状態抵抗Ronが大幅に減少します。 低いオン状態抵抗は、高い電流密度および熱伝導性と相まって、パワーデバイスに非常に小さなダイを使用できます。 SiCの高い熱伝導性は、チップの熱抵抗を低減します。 SiCウェーハに基づくデバイスの電子特性は、経時的に非常に安定しており、温度に対して安定しているため、製品の高い信頼性が保証されます。シリコンカーバイドは、強い放射線に対して極めて高い耐性を有しており、チップの電子特性を劣化させません。結晶の限界動作温度（6000℃以上）が高いため、過酷な動作条件や特殊な用途でも信頼性の高いデバイスを開発できます。現在、200mmSiCウェハの小ロットを安定的に継続的に供給しており、倉庫にも在庫があります。