8 インチ SiC プロダクショングレードウェハ 4H-N SiC 基板

簡単な説明:

8 インチ SiC 基板は、パワー MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、ショットキーダイオード、その他のパワー半導体デバイスなどの高出力電子デバイスに使用されます。

製品詳細

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次の表は、当社の 8 インチ SiC ウェーハの仕様を示しています。

8インチN型SiC DSP仕様
番号	アイテム	ユニット	生産	研究	ダミー
1:パラメータ
1.1	ポリタイプ	--	4H	4H	4H
1.2	面配向	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2:電気的パラメータ
2.1	ドーパント	--	n型窒素	n型窒素	n型窒素
2.2	抵抗率	オーム・センチメートル	0.015～0.025	0.01～0.03	NA
3:機械的パラメータ
3.1	直径	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	厚さ	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	ノッチの向き	°	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	ノッチの深さ	mm	1～1.5	1～1.5	1～1.5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	弓	μm	-25～25	-45～45	-65～65
3.8	ワープ	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≦0.2	Ra≦0.2	Ra≦0.2
4:構造
4.1	マイクロパイプ密度	EA/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	金属含有量	原子/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	EA/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	境界性パーソナリティ障害	EA/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	テッド	EA/cm2	≤7000	≤10000	NA
5.フロント品質
5.1	フロント	--	Si	Si	Si
5.2	表面仕上げ	--	Si面CMP	Si面CMP	Si面CMP
5.3	粒子	EA/ウェーハ	≤100(サイズ≧0.3μm)	NA	NA
5.4	傷	EA/ウェーハ	≤5、全長≤200mm	NA	NA
5.5	角欠け/へこみ/ひび割れ/汚れ/汚れ	--	なし	なし	NA
5.6	ポリタイプ領域	--	なし	面積 ≤10%	面積 ≤30%
5.7	フロントマーキング	--	なし	なし	なし
6:バッククオリティ
6.1	バックフィニッシュ	--	C面MP	C面MP	C面MP
6.2	傷	mm	NA	NA	NA
6.3	裏面欠陥エッジ欠け/へこみ	--	なし	なし	NA
6.4	裏面粗さ	nm	Ra≦5	Ra≦5	Ra≦5
6.5	バックマーキング	--	ノッチ	ノッチ	ノッチ
7:エッジ
7.1	角	--	面取り	面取り	面取り
8:パッケージ
8.1	梱包	--	真空でエピ対応可能梱包	真空でエピ対応可能梱包	真空でエピ対応可能梱包
8.2	梱包	--	マルチウェーハカセットパッケージ	マルチウェーハカセットパッケージ	マルチウェーハカセットパッケージ