8インチSiC量産グレードウェハ4H-N SiC基板

簡単な説明:

8インチSiC基板は、パワーMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）、ショットキーダイオードなどのパワー半導体デバイスなどの高出力電子デバイスに使用されます。

製品詳細

製品タグ

下記表は当社の8インチSiCウェハの仕様を示しています。

8インチN型SiC DSP仕様
番号	アイテム	ユニット	生産	研究	ダミー
1:パラメータ
1.1	ポリタイプ	--	4H	4H	4H
1.2	表面の向き	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2:電気的パラメータ
2.1	ドーパント	--	n型窒素	n型窒素	n型窒素
2.2	抵抗率	オーム·cm	0.015～0.025	0.01～0.03	NA
3:機械的パラメータ
3.1	直径	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	厚さ	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	ノッチの向き	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	ノッチ深さ	mm	1～1.5	1～1.5	1～1.5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm×10mm)	≤5(10mm×10mm)	≤10(10mm×10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	弓	μm	-25～25	-45～45	-65～65
3.8	ワープ	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	原子間力顕微鏡（AFM）	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4:構造
4.1	マイクロパイプ密度	個/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	金属含有量	原子/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	個/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	境界性パーソナリティ障害	個/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	テッド	個/cm2	≤7000	≤10000	NA
5.フロントの品質
5.1	フロント	--	Si	Si	Si
5.2	表面仕上げ	--	Si面CMP	Si面CMP	Si面CMP
5.3	粒子	ea/ウェーハ	≤100（サイズ≥0.3μm）	NA	NA
5.4	傷	ea/ウェーハ	≤5、全長≤200mm	NA	NA
5.5	角欠け/へこみ/ひび割れ/汚れ/汚染	--	なし	なし	NA
5.6	ポリタイプ領域	--	なし	面積≤10%	面積≤30%
5.7	フロントマーキング	--	なし	なし	なし
6:背面の品質
6.1	バック仕上げ	--	C面MP	C面MP	C面MP
6.2	傷	mm	NA	NA	NA
6.3	背面欠陥エッジ欠け/へこみ	--	なし	なし	NA
6.4	背中のざらつき	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	バックマーキング	--	ノッチ	ノッチ	ノッチ
7:エッジ
7.1	角	--	面取り	面取り	面取り
8:パッケージ
8.1	包装	--	真空エピ対応包装	真空エピ対応包装	真空エピ対応包装
8.2	包装	--	マルチウェーハカセットパッケージ	マルチウェーハカセットパッケージ	マルチウェーハカセットパッケージ