FSS上のAlN 2インチ 4インチ半導体領域用NPSS/FSS AlNテンプレート

AlN on FSS 2インチ 4インチ NPSS/FSS AlNテンプレート（半導体領域用）注目の画像

簡単な説明:

AlN on FSS（フレキシブル基板）ウェハは、窒化アルミニウム（AlN）の優れた熱伝導性、機械的強度、電気絶縁性と、高性能基板の柔軟性を独自に組み合わせた製品です。2インチおよび4インチのこれらのウェハは、特に熱管理とデバイスの柔軟性が重要となる高度な半導体アプリケーション向けに特別に設計されています。NPSS（非研磨基板）およびFSS（フレキシブル基板）をベースとして選択できるこれらのAlNテンプレートは、高い熱伝導性と柔軟な統合がデバイスの性能と信頼性の向上に不可欠な、パワーエレクトロニクス、RFデバイス、フレキシブル電子システムなどのアプリケーションに最適です。

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製品詳細

製品タグ

プロパティ

素材構成:
窒化アルミニウム (AlN) – 優れた熱伝導率 (通常 200～300 W/m·K)、良好な電気絶縁性、高い機械的強度を備えた白色の高性能セラミック層。
フレキシブル基板 (FSS) – AlN 層の機能性を損なうことなく耐久性と曲げ性を提供するフレキシブルポリマーフィルム (ポリイミド、PET など)。

利用可能なウェハサイズ:
2インチ（50.8mm）
4インチ（100mm）

厚さ:
AlN層: 100～2000nm
FSS基板の厚さ：50µm～500µm（要件に応じてカスタマイズ可能）

表面仕上げオプション:
NPSS (非研磨基板) – 研磨されていない基板表面。接着性や統合性を高めるために粗い表面プロファイルを必要とする特定の用途に適しています。
FSS (フレキシブル基板) – 研磨済みまたは未研磨のフレキシブルフィルム。特定のアプリケーションのニーズに応じて、滑らかな表面またはテクスチャ加工された表面を選択できます。

電気的特性:
絶縁 – AlN は電気絶縁特性を備えているため、高電圧およびパワー半導体アプリケーションに最適です。
誘電率: ~9.5
熱伝導率: 200～300 W/m·K (AlNのグレードと厚さによって異なります)

機械的特性:
柔軟性: AlN はフレキシブル基板 (FSS) 上に堆積され、曲げと柔軟性を実現します。
表面硬度: AlN は耐久性に優れ、通常の動作条件下では物理的な損傷に耐えます。

アプリケーション

高出力デバイス: 電力コンバータ、RF アンプ、高出力 LED モジュールなど、高い放熱を必要とするパワーエレクトロニクスに最適です。

RFおよびマイクロ波コンポーネント: 熱伝導性と機械的柔軟性の両方が必要なアンテナ、フィルター、共振器などのコンポーネントに適しています。

フレキシブルエレクトロニクス: デバイスが非平面の表面に適合する必要がある、または軽量で柔軟な設計が必要なアプリケーション (ウェアラブル、フレキシブルセンサーなど) に最適です。

半導体パッケージング: 半導体パッケージの基板として使用され、高熱を発生する用途で放熱効果を発揮します。

LEDとオプトエレクトロニクス: 強力な放熱性を備え、高温での動作が必要なデバイス向け。

パラメータテーブル

財産	値または範囲
ウェハサイズ	2インチ（50.8mm）、4インチ（100mm）
AlN層の厚さ	100nm～2000nm
FSS基板の厚さ	50µm～500µm（カスタマイズ可能）
熱伝導率	200～300 W/m·K
電気的特性	絶縁性（誘電率：約9.5）
表面仕上げ	研磨済みまたは未研磨
基板タイプ	NPSS（非研磨基板）、FSS（フレキシブル基板）
機械的な柔軟性	高い柔軟性、フレキシブルエレクトロニクスに最適
色	白からオフホワイト（基材によって異なります）

アプリケーション

●パワーエレクトロニクス：高い熱伝導性と柔軟性を兼ね備えたこれらのウェーハは、効率的な放熱を必要とする電力コンバータ、トランジスタ、電圧レギュレータなどの電力デバイスに最適です。
●RF/マイクロ波デバイス：AlN は優れた熱特性と低い電気伝導性を備えているため、増幅器、発振器、アンテナなどの RF コンポーネントに使用されます。
●フレキシブルエレクトロニクス：FSS 層の柔軟性と AlN の優れた熱管理を組み合わせることで、ウェアラブルエレクトロニクスやセンサーに最適な選択肢となります。
●半導体パッケージング：効果的な放熱と信頼性が重要となる高性能半導体パッケージングに使用されます。
●LEDおよびオプトエレクトロニクスアプリケーション：窒化アルミニウムは、高耐熱性が求められる LED パッケージやその他の光電子デバイスに最適な材料です。