MEMS用4インチ・6インチサファイアウエハー上にエピタキシャル成長させた窒化ガリウム（GaN）
サファイア基板上のGaNの特性
●高効率：GaN ベースのデバイスはシリコン ベースのデバイスよりも 5 倍の電力を供給し、RF 増幅やオプトエレクトロニクスなどのさまざまな電子アプリケーションのパフォーマンスを向上させます。
●ワイドバンドギャップ：GaN の広いバンドギャップにより、高温でも高い効率が得られるため、高電力および高周波アプリケーションに最適です。
●耐久性：GaN は極端な条件 (高温や放射線) に対応できるため、厳しい環境でも長期間にわたってパフォーマンスを維持できます。
●小さいサイズ：GaN は、従来の半導体材料に比べてよりコンパクトで軽量なデバイスの製造を可能にし、より小型で強力な電子機器の開発を促進します。
抽象的な
窒化ガリウム（GaN）は、RFフロントエンドモジュール、高速通信システム、LED照明など、高出力と高効率が求められる高度なアプリケーションに最適な半導体として注目を集めています。サファイア基板上に成長したGaNエピタキシャルウェハは、高い熱伝導率、高い破壊電圧、そして広い周波数応答を兼ね備えており、無線通信機器、レーダー、妨害電波発生装置などの性能を最適化する上で重要な要素となります。これらのウェハは、直径4インチと6インチの2種類があり、様々な技術要件に対応するためにGaNの厚みも豊富に取り揃えています。GaNの独自の特性は、将来のパワーエレクトロニクスの有力候補となっています。
製品パラメータ
| 製品の特徴 | 仕様 |
| ウェーハ直径 | 50mm、100mm、50.8mm |
| 基板 | サファイア |
| GaN層の厚さ | 0.5μm～10μm |
| GaNタイプ/ドーピング | N型（P型はリクエストに応じて利用可能） |
| GaN結晶の配向 | <0001> |
| 研磨タイプ | 片面研磨（SSP）、両面研磨（DSP） |
| Al2O3の厚さ | 430μm～650μm |
| TTV（総厚さ変動） | ≤ 10 μm |
| 弓 | ≤ 10 μm |
| ワープ | ≤ 10 μm |
| 表面積 | 使用可能表面積 > 90% |
質疑応答
Q1: 従来のシリコンベースの半導体に比べて GaN を使用する主な利点は何ですか?
A1GaNはシリコンに比べて、バンドギャップが広いことなど、いくつかの大きな利点があります。これにより、高いブレークダウン電圧に対応でき、高温でも効率的に動作できます。そのため、GaNはRFモジュール、パワーアンプ、LEDなどの高出力・高周波アプリケーションに最適です。また、高い電力密度に対応できるため、シリコンベースの代替品と比較して、より小型で効率的なデバイスを実現できます。
Q2: サファイア ウェーハ上の GaN は MEMS (微小電気機械システム) アプリケーションに使用できますか?
A2はい、サファイア基板上のGaNはMEMSアプリケーション、特に高出力、温度安定性、低ノイズが求められる用途に適しています。この材料は高周波環境における耐久性と効率性に優れているため、無線通信、センシング、レーダーシステムに使用されるMEMSデバイスに最適です。
Q3: 無線通信における GaN の潜在的な用途は何ですか?
A3GaNは、5Gインフラ、レーダーシステム、ジャマーなど、無線通信用のRFフロントエンドモジュールに広く使用されています。高い電力密度と熱伝導性により、高出力・高周波デバイスに最適であり、シリコンベースのソリューションと比較して、優れた性能と小型化を実現します。
Q4: GaN on Sapphire ウェーハのリードタイムと最小注文数量はどれくらいですか?
A4: リードタイムと最小注文数量は、ウェハサイズ、GaNの厚さ、およびお客様の具体的なご要望によって異なります。詳細な価格と在庫状況については、お客様の仕様に基づいて直接お問い合わせください。
Q5: GaN 層の厚さやドーピング レベルをカスタマイズできますか?
A5はい、GaNの厚さとドーピングレベルは、特定のアプリケーションのニーズに合わせてカスタマイズ可能です。ご希望の仕様をお知らせいただければ、最適なソリューションをご提供いたします。
詳細図
