N型SiC on Si複合基板 直径6インチ

等级学年

うー级

P级

D级

低BPDグレード

プロダクショングレード

ダミーグレード

直径直径

150.0mm±0.25mm

厚さ厚さ

500μm±25μm

結晶片方向ウェーハの向き

軸外 : < 11-20 > 方向に 4.0° > 4H-N の場合 ±0.5° 軸上 : 4H-SI の場合 <0001> ±0.5°

主定位边方向プライマリーフラット

{10-10}±5.0°

主定位边長度一次平坦長さ

47.5mm±2.5mm

边缘エッジの除外

3mm

总厚さ变化/弯曲度/翘曲度 TTV/弓 /反り

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微小管密度と基底面位置MPD&BPD

MPD≤1cm-2

MPD≤5cm-2

MPD≤15cm-2

BPD≤1000cm-2

電気抵抗率抵抗率

≧1E5Ω・cm

表面粗さ粗さ

ポリッシュ Ra≤1 nm

CMP Ra≦0.5nm

裂纹(强光灯观测) #

なし

累積長さ≤10mm、単一の長さ≤2mm

高強度光によるクラック

六方空洞（强光灯观测）*

累積面積 ≤1%

累積面積 ≤5%

高輝度光による六角プレート

多型(强光灯观测)*

なし

累積面積≤5%

高強度光によるポリタイプ領域

划痕(强光灯观测)*&

ウェーハ直径の 1 倍に 3 つのスクラッチ

ウェーハ直径の 1 倍に 5 つのスクラッチ

高強度の光による傷

累積長さ

累積長さ

崩边# エッジチップ

なし

5 個許容、それぞれ ≤1 mm

表面污染物（强光灯观测）

なし

高強度の光による汚染