N型SiC-Si複合基板（直径6インチ）

等级学年

うー级

P级

D级

低BPDグレード

生産グレード

ダミーグレード

直径直径

150.0mm±0.25mm

厚さ厚さ

500μm±25μm

結晶片方向ウェーハの向き

オフアクシス：< 11-20 > 方向に 4.0°、4H-N の場合は ±0.5° オンアクシス：<0001> 方向に 4H-SI の場合は ±0.5°

主定位边方向プライマリーフラット

{10-10}±5.0°

主定位边長度プライマリフラット長さ

47.5mm±2.5mm

边缘エッジ除外

3ミリメートル

总厚さ变化/弯曲度/翘曲度 TTV/弓 /反り

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度と基底面位置MPDとBPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000cm-2

電気抵抗率抵抗率

≥1E5Ω·cm

表面粗さ粗さ

研磨Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

裂纹(强光灯观测) #

なし

累計長さ≤10mm、単長≤2mm

高強度光によるひび割れ

六方空洞（强光灯观测）*

累積面積≤1%

累積面積≤5%

高輝度光による六角プレート

多型(强光灯观测)*

なし

累積面積≤5%

高強度光によるポリタイプ領域

划痕(强光灯观测)*&

1×ウェーハ直径に3つの傷

1×ウェーハ直径あたり5つの傷

高輝度光による傷

累積長さ

累積長さ

崩边# エッジチップ

なし

5個まで許容、各1 mm以下

表面污染物（强光灯观测）

なし

高強度光による汚染