p型 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC基板 4インチ〈111〉±0.5°ゼロMPD

p型 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC 基板 4inch 〈111〉± 0.5°Zero MPD 注目の画像

簡単な説明:

P型4H/6H-P 3C-N型SiC基板は、4インチ、〈111〉±0.5°方位、ゼロMPD（Micro Pipe Defect）グレードで、先端電子デバイス向けに設計された高性能半導体材料です。製造業。この基板は、優れた熱伝導性、高い降伏電圧、高温や腐食に対する強い耐性で知られており、パワーエレクトロニクスや RF アプリケーションに最適です。 Zero MPD グレードは最小限の欠陥を保証し、高性能デバイスの信頼性と安定性を保証します。正確な <111>± 0.5° の配向により、製造中の正確な位置合わせが可能になり、大規模な製造プロセスに適しています。この基板は、電力コンバータ、インバータ、RF コンポーネントなどの高温、高電圧、高周波の電子デバイスで広く使用されています。

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製品詳細

製品タグ

4H/6H-PタイプSiC複合基板共通パラメータ表

4 直径インチのシリコン超硬（SiC）基板 仕様

学年			MPD 生産ゼログレード (Z 学年）	標準生産グレード (P 学年）	ダミーグレード (D 学年）
直径			99.5mm～100.0mm
厚さ			350μm±25μm
ウェーハの向き			軸外: [11 方向に 2.0°-4.0°2(-)0] ±0.5°（4H/6H-）P, On軸：〈111〉±0.5°（3C-Nの場合）
マイクロパイプ密度			0cm-2
抵抗率	p型 4H/6H-P		≤0.1Ωꞏcm		≤0.3Ωꞏcm
	n型3C-N		≤0.8mΩꞏcm		≤1mΩꞏcm
プライマリフラット方向		4H/6H-P	- {1010} ±5.0°
		3C-N	- {110}±5.0°
一次平坦長さ			32.5mm±2.0mm
二次平坦長さ			18.0mm±2.0mm
二次平面方向			シリコン面を上に: 90° CW。プライムフラットから±5.0°
エッジの除外			3mm		6mm
LTV/TTV/バウ/ワープ			≤2.5 μm/≦5 μm/≦15 μm/≦30 μm		≤10 μm/≦15 μm/≦25 μm/≦40 μm
粗さ			ポリッシュ Ra≤1 nm
			CMP Ra≦0.2nm		Ra≦0.5nm
高輝度光によるエッジクラック			なし		累積長さ ≤ 10 mm、単一の長さ ≤ 2 mm
高輝度光による六角プレート			累積面積 ≤0.05%		累積面積 ≤0.1%
高強度の光によるポリタイプ領域			なし		累積面積≤3%
視覚的なカーボンインクルージョン			累積面積 ≤0.05%		累積面積 ≤3%
高強度の光によるシリコン表面の傷			なし		累積長さ≦1×ウェーハ直径
強度の光によるエッジチップの増加			なし幅および深さ 0.2mm 以上は許可されない		5 個許容、それぞれ ≤1 mm
高強度によるシリコン表面の汚染			なし
包装			マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ

注:

※欠陥制限はエッジ除外領域を除くウェーハ表面全体に適用されます。 # 傷は Si 面のみで確認してください。

〈111〉± 0.5°配向およびゼロ MPD グレードの P タイプ 4H/6H-P 3C-N タイプ 4 インチ SiC 基板は、高性能電子アプリケーションで広く使用されています。優れた熱伝導性と高い降伏電圧により、極限条件で動作する高電圧スイッチ、インバーター、パワーコンバーターなどのパワーエレクトロニクスに最適です。さらに、基材の高温および腐食に対する耐性により、過酷な環境でも安定した性能が保証されます。正確な〈111〉± 0.5° の方向により製造精度が向上し、RF デバイスや、レーダーシステムや無線通信機器などの高周波アプリケーションに適しています。

N 型 SiC 複合基板には次のような利点があります。

1. 高い熱伝導率: 効率的な放熱により、高温環境や高出力用途に適しています。
2. 高降伏電圧: パワーコンバータやインバータなどの高電圧アプリケーションで信頼性の高い性能を保証します。
3. ゼロ MPD (Micro Pipe Defect) グレード: 最小限の欠陥を保証し、重要な電子機器に安定性と高い信頼性を提供します。
4. 耐食性: 過酷な環境でも耐久性があり、厳しい条件下でも長期的な機能を保証します。
5. 正確な <111>± 0.5° 方向: 製造時に正確な位置合わせが可能になり、高周波および RF アプリケーションでのデバイスの性能が向上します。

全体として、〈111〉± 0.5°配向およびゼロ MPD グレードの P タイプ 4H/6H-P 3C-N タイプ 4 インチ SiC 基板は、高度な電子アプリケーションに最適な高性能材料です。優れた熱伝導率と高い耐電圧により、高電圧スイッチ、インバーター、コンバーターなどのパワーエレクトロニクスに最適です。 Zero MPD グレードは欠陥を最小限に抑え、重要なデバイスに信頼性と安定性を提供します。さらに、基材の耐腐食性と高温耐性により、過酷な環境での耐久性が保証されます。正確な <111>± 0.5° の配向により、製造時に正確な位置合わせが可能となり、RF デバイスや高周波アプリケーションに非常に適しています。