p型 4H/6H-P 3C-N型 SIC基板 4インチ〈111〉± 0.5°ゼロ MPD

簡単な説明:

P型4H/6H-P 3C-N型SiC基板は、4インチで〈111〉±0.5°配向、ゼロMPD（マイクロパイプ欠陥）グレードを備え、高度な電子機器製造向けに設計された高性能半導体材料です。優れた熱伝導性、高い破壊電圧、高温および腐食に対する強い耐性で知られるこの基板は、パワーエレクトロニクスおよびRFアプリケーションに最適です。ゼロMPDグレードは最小限の欠陥を保証し、高性能デバイスの信頼性と安定性を確保します。その正確な〈111〉±0.5°配向は、製造中の正確な位置合わせを可能にし、大規模な製造プロセスに適しています。この基板は、電力変換器、インバータ、RF部品などの高温、高電圧、高周波電子機器に広く使用されています。

メールを送信する

製品詳細

製品タグ

4H/6H-P型SiC複合基板共通パラメータ表

4 インチ径シリコン炭化物（SiC）基板 仕様

学年			MPD生産ゼログレード（Z 学年）	標準生産グレード（P 学年）	ダミーグレード (D 学年）
直径			99.5mm～100.0mm
厚さ			350μm±25μm
ウェーハの向き			オフアクシス: 2.0°-4.0°[112(-)0] 4H/6Hの場合±0.5°P, On軸:3C-Nの場合〈111〉±0.5°
マイクロパイプ密度			0 cm-2
抵抗率	p型4H/6H-P		≤0.1Ω·cm		≤0.3Ω·cm
	n型3C-N		≤0.8 mΩ∙cm		≤1 mΩıcm
プライマリフラットオリエンテーション		4H/6H-P	- {1010} ± 5.0°
		3C-N	- {110} ± 5.0°
プライマリフラット長さ			32.5mm±2.0mm
二次フラット長さ			18.0 mm ± 2.0 mm
二次フラットオリエンテーション			シリコン面を上にして：プライムフラットから時計回り90°±5.0°
エッジ除外			3ミリメートル		6ミリメートル
LTV/TTV/ボウ/ワープ			≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
粗さ			研磨Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0.2 nm		Ra≤0.5 nm
高強度光によるエッジクラック			なし		累計長さ≤10 mm、単一長さ≤2 mm
高輝度ライトによる六角プレート			累積面積≤0.05%		累積面積≤0.1%
高強度光によるポリタイプ領域			なし		累積面積≤3%
視覚的な炭素含有物			累積面積≤0.05%		累積面積≤3%
高強度光によるシリコン表面の傷			なし		累積長さ≤1×ウェーハ直径
エッジチップは強度光によって高くなる			幅と深さは0.2mm以上は許可されません		5個まで可能、各1 mm以下
高強度によるシリコン表面汚染			なし
パッケージ			マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ

注記:

※欠陥限度は、エッジ除外領域を除くウェーハ表面全体に適用されます。# 傷はSi面のみで確認する必要があります。

〈111〉±0.5°配向、Zero MPDグレードのP型4H/6H-P 3C-N型4インチSiC基板は、高性能電子機器に広く使用されています。優れた熱伝導性と高い絶縁破壊電圧により、高電圧スイッチ、インバータ、電力コンバータなど、過酷な条件下で動作するパワーエレクトロニクスに最適です。さらに、高温・耐腐食性にも優れており、過酷な環境下でも安定した性能を発揮します。高精度な〈111〉±0.5°配向により製造精度が向上し、レーダーシステムや無線通信機器などのRFデバイスや高周波アプリケーションに最適です。

N 型 SiC 複合基板の利点は次のとおりです。

1. 高い熱伝導性：効率的な放熱により、高温環境や高出力アプリケーションに適しています。
2. 高い破壊電圧: 電力コンバータやインバータなどの高電圧アプリケーションで信頼性の高いパフォーマンスを保証します。
3. ゼロ MPD (マイクロパイプ欠陥) グレード: 欠陥を最小限に抑えることを保証し、重要な電子デバイスに安定性と高い信頼性を提供します。
4. 耐腐食性: 過酷な環境でも耐久性があり、厳しい条件下でも長期的な機能性を保証します。
5. 正確な〈111〉± 0.5°の方向：製造中に正確な位置合わせが可能になり、高周波およびRFアプリケーションにおけるデバイスのパフォーマンスが向上します。

〈111〉±0.5°配向、Zero MPDグレードのP型4H/6H-P 3C-N型4インチSiC基板は、高度な電子機器に最適な高性能材料です。優れた熱伝導性と高い破壊電圧により、高電圧スイッチ、インバータ、コンバータなどのパワーエレクトロニクスに最適です。Zero MPDグレードは欠陥を最小限に抑え、重要なデバイスの信頼性と安定性を確保します。さらに、耐腐食性と耐高温性を備え、過酷な環境でも耐久性を確保します。正確な〈111〉±0.5°配向により、製造時の正確なアライメントが可能になり、RFデバイスや高周波アプリケーションに最適です。