製品
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2インチシリコンカーバイド基板 6H-N 両面研磨 直径50.8mm 生産グレード 研究グレード
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銅基板 銅立方晶単結晶 Cuウェハ 100 110 111 配向 SSP DSP 純度 99.99%
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銅基板単結晶Cuウェハ5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm
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ニッケルウエハー Ni基板 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm
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Ni基板/ウェーハ単結晶立方構造a=3.25A密度8.91
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マグネシウム単結晶基板 Mgウェハー純度99.99% 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm20x20x0.5/1mm
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マグネシウム単結晶MgウェハDSP SSP配向
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集積回路製造用の寸法に研磨および加工されたアルミニウム金属単結晶基板
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アルミニウム基板 単結晶アルミニウム基板方位 111 100 111 5×5×0.5mm
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石英ガラスウエハー JGS1 JGS2 BF33 ウエハー 8インチ 12インチ 725 ± 25 um またはカスタマイズ
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サファイア管 CZ法 KY法 高温耐性 Al2O3 99.999% 単結晶サファイア
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p型 4H/6H-P 3C-N型 SIC基板 4インチ 〈111〉± 0.5°ゼロ MPD