製品
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Ni 基板/ウェハ単結晶立方構造 a=3.25A 密度 8.91
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マグネシウム単結晶基板 Mg ウエハ純度 99.99% 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm20x20x0.5/1mm
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マグネシウム 単結晶 Mg ウェハ DSP SSP 配向
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集積回路製造用の寸法に研磨および加工されたアルミニウム金属単結晶基板
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アルミニウム基板 単結晶アルミニウム基板 方位 111 100 111 5×5×0.5mm
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石英ガラス ウエハ JGS1 JGS2 BF33 ウエハ 8 インチ 12 インチ 725 ± 25 um またはカスタマイズされました
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サファイアチューブ CZ法 KY法 高温耐性 Al2O3 99.999%単結晶サファイア
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p型 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC基板 4インチ〈111〉±0.5°ゼロMPD
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SiC基板 P型 4H/6H-P 3C-N 4インチ 厚さ350um プロダクショングレード ダミーグレード
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4H/6H-P 6インチSiCウェハ ゼロMPDグレード プロダクショングレード ダミーグレード
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P 型 SiC ウェハ 4H/6H-P 3C-N 6 インチ厚さ 350 μm、一次平面配向
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アルミナセラミックアームカスタムセラミックロボットアーム