サファイア結晶成長炉 KY Kyropoulos法によるサファイアウエハーおよび光学窓製造

簡単な説明:

このサファイア結晶成長装置は、大口径・低欠陥サファイア単結晶成長向けに特別に設計された、国際的に最先端のキロプロス(KY)法を採用しています。KY法は、種結晶の引き上げ、回転速度、温度勾配を精密に制御できるため、高温(2000~2200℃)で最大直径12インチ(300 mm)のサファイア結晶成長を可能にします。XKHのKY法システムは、2~12インチのC/A面サファイアウェーハおよび光学窓の工業生産に広く利用されており、月産20台の生産量を達成しています。この装置は、ドーピングプロセス(例:ルビー合成におけるCr³⁰ドーピング)をサポートし、以下の結晶品質を実現します。

転位密度 <100/cm²

透過率 >85% @ 400~5500 nm


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  • 特徴

    動作原理

    KY法の基本原理は、高純度Al₂O₃原料をタングステン/モリブデンるつぼで2050℃で溶融することです。種結晶を溶融液に投入し、制御された引上げ速度(0.5~10mm/h)と回転速度(0.5~20rpm)により、α-Al₂O₃単結晶を方向性を持って成長させます。主な特徴は以下のとおりです。

    • 大型結晶(最大Φ400 mm × 500 mm)
    • 低応力光学グレードサファイア(波面歪み <λ/8 @ 633 nm)
    • ドープ結晶(例:スターサファイアのTi³⁰ドーピング)

    コアシステムコンポーネント

    1. 高温溶解システム​​
    • タングステンモリブデン複合るつぼ(最高温度2300℃)
    • マルチゾーングラファイトヒーター(±0.5°Cの温度制御)

    2. 結晶成長システム​​
    • サーボ駆動式引き機構(精度±0.01 mm)
    • 磁性流体回転シール(0~30 rpmの無段階速度調節)

    3. 熱場制御​​
    • 5ゾーン独立温度制御(1800~2200℃)
    • 調節可能なヒートシールド(±2°C/cmの勾配)
    • 真空・雰囲気システム​​
    • 10⁻⁴ Paの高真空
    • Ar/N₂/H₂混合ガス制御

    4. インテリジェントモニタリング
    • CCDリアルタイム結晶直径モニタリング
    • マルチスペクトル溶融レベル検出

    KY法とCZ法の比較

    パラメータ KY法 CZ法
    最大結晶サイズ Φ400mm Φ200mm
    成長率 5~15 mm/時 20~50 mm/時
    欠陥密度 <100/cm² 500~1000個/cm²
    エネルギー消費 80~120 kWh/kg 50~80kWh/kg
    代表的な用途 光学窓/大型ウェーハ LED基板/ジュエリー

    主な用途

    1. 光電子窓​​
    • 軍用赤外線ドーム(透過率 >85%@3~5 μm)
    • UVレーザーウィンドウ(200 W/cm²の電力密度に耐える)

    2. 半導体基板​​
    • GaNエピタキシャルウエハ(2~8インチ、TTV <10 μm)
    • SOI基板(表面粗さ<0.2 nm)

    3. 家電製品​​
    • スマートフォンカメラカバーガラス(モース硬度9)
    • スマートウォッチのディスプレイ(傷に対する耐性が10倍向上)

    4. 特殊材料​​
    • 高純度IR光学系(吸収係数<10⁻³ cm⁻¹)
    • 原子炉観測窓(放射線耐性:10¹⁶ n/cm²)

    Kyropoulos(KY)サファイア結晶成長装置の利点

    キロプロス(KY)法に基づくサファイア結晶成長装置は、比類のない技術的利点を備えており、工業規模生産における最先端ソリューションとして位置付けられています。主な利点は以下のとおりです。

    1. 大口径能力:最大直径12インチ(300 mm)のサファイア結晶を成長させることができ、GaNエピタキシーや軍用グレードのウィンドウなどの高度な用途向けのウェーハや光学部品の高歩留まり生産を可能にします。

    2. 超低欠陥密度:最適化された熱場設計と正確な温度勾配制御により、100/cm²未満の転位密度を実現し、光電子デバイスの優れた結晶完全性を保証します。

    3. 高品質の光学性能:可視から赤外線スペクトル(400~5500 nm)全体で85%を超える透過率を実現し、UVレーザーウィンドウや赤外線光学系に不可欠です。

    4. 高度な自動化:サーボ駆動の引き抜き機構(精度±0.01 mm)と磁性流体回転シール(0~30 rpmの無段階制御)を備えており、人的介入を最小限に抑え、一貫性を高めます。

    5. 柔軟なドーピング オプション:Cr³⁰(ルビー用)や Ti³⁰(スターサファイア用)などのドーパントを使用したカスタマイズをサポートし、オプトエレクトロニクスやジュエリーのニッチ市場に対応します。

    6. エネルギー効率:最適化された断熱材(タングステンモリブデンるつぼ)により、エネルギー消費量が 80~120 kWh/kg に削減され、他の成長方法と競争力が向上します。

    7. スケーラブルな生産:世界200か所以上の施設で検証され、迅速なサイクルタイム(30~40 kgの結晶で8~10日)で月間5,000枚以上のウェハ生産を実現します。
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    8. ミリタリーグレードの耐久性:航空宇宙および原子力用途に不可欠な耐放射線設計と耐熱材料(10¹⁶ n/cm²に耐える)を採用しています。
    これらのイノベーションにより、KY 法は高性能サファイア結晶を製造するためのゴールド スタンダードとしての地位を確立し、5G 通信、量子コンピューティング、防衛技術の進歩を促進します。

    XKHサービス

    XKHは、サファイア結晶成長システム向けに、設置、プロセス最適化、そしてシームレスな運用統合を実現するスタッフトレーニングを含む包括的なターンキーソリューションを提供しています。多様な産業ニーズに合わせてカスタマイズされた、検証済みの成長レシピ(50種類以上)を提供することで、お客様の研究開発時間を大幅に短縮します。特殊な用途向けには、カスタム開発サービスを通じて、キャビティのカスタマイズ(Φ200~400 mm)や高度なドーピングシステム(Cr/Ti/Ni)を提供し、高性能光学部品や耐放射線材料の開発をサポートします。

    付加価値サービスには、スライス、研削、研磨といった成長後処理に加え、ウェーハ、チューブ、宝石用原石といった幅広いサファイア製品も含まれています。これらのサービスは、民生用電子機器から航空宇宙まで、幅広い分野に対応しています。当社の技術サポートは、24ヶ月の保証とリアルタイムのリモート診断を保証し、ダウンタイムを最小限に抑え、生産効率の維持を実現します。

    サファイアインゴット成長炉3
    サファイアインゴット成長炉4
    サファイアインゴット成長炉5

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