Si複合基板上の半絶縁性SiC

この組み合わせは、電子機器製造において多くの利点をもたらします。

互換性: シリコン基板を使用することで、標準的なシリコンベースの処理技術と互換性があり、既存の半導体製造プロセスとの統合が可能になります。

高温性能: SiC は優れた熱伝導性を持ち、高温でも動作できるため、高出力および高周波の電子アプリケーションに適しています。

高い破壊電圧: SiC 材料は高い破壊電圧を持ち、電気的破壊を起こすことなく高電界に耐えることができます。

電力損失の削減: SiC 基板を使用すると、従来のシリコンベースの材料と比較して、電子機器での電力変換がより効率的になり、電力損失が低減します。

広い帯域幅: SiC は広い帯域幅を備えているため、より高温、より高い電力密度で動作できる電子デバイスの開発が可能になります。

したがって、半絶縁性 SiC on Si 複合基板は、シリコンの適合性と SiC の優れた電気的特性および熱的特性を兼ね備えており、高性能エレクトロニクス アプリケーションに適しています。

梱包と配送

1. 梱包には保護プラスチックと専用の箱を使用します。（環境に優しい素材）

2. 数量に応じてカスタマイズされた梱包が可能です。

3. DHL/Fedex/UPS Expressの場合、目的地までの配送に通常3～7営業日かかります。