半絶縁性SiC on Si複合基板

この組み合わせにより、エレクトロニクス製造において次のような多くの利点がもたらされます。

互換性: シリコン基板を使用することで、標準的なシリコンベースの処理技術と互換性があり、既存の半導体製造プロセスとの統合が可能になります。

高温性能: SiC は優れた熱伝導率を持ち、高温で動作することができるため、高出力および高周波の電子アプリケーションに適しています。

高降伏電圧: SiC 材料は高い降伏電圧を備えており、電気的破壊を起こすことなく高電界に耐えることができます。

電力損失の低減: SiC 基板により、従来のシリコンベースの材料と比較して、電子デバイスにおける電力変換がより効率的になり、電力損失が低くなります。

広い帯域幅: SiC は広い帯域幅を備えているため、より高い温度とより高い電力密度で動作できる電子デバイスの開発が可能になります。

したがって、半絶縁性 SiC on Si 複合基板は、シリコンの適合性と SiC の優れた電気的および熱的特性を兼ね備えており、高性能エレクトロニクス用途に適しています。

梱包と配送

1. 保護プラスチックを使用し、カスタマイズされた箱に梱包します。 (環境に優しい素材)

2.数量に応じてカスタマイズされた梱包を行うことができます。

3. DHL/Fedex/UPS Express は通常、目的地まで約 3 ～ 7 営業日かかります。