耐高温性ウェーハキャリア用SiCセラミックトレイ

簡単な説明:

炭化ケイ素(SiC)セラミックトレイは、2450℃で焼結された超高純度SiC粉末(>99.1%)から作られ、密度は3.10g/cm³、耐熱性は1800℃まで、熱伝導率は250~300W/m·Kです。低熱膨張(4×10⁻⁶/K)による高温安定性を活かし、ウェーハキャリアとして半導体MOCVDおよびICPエッチングプロセスに最適です。従来のグラファイトキャリアに固有の汚染リスクを排除します。標準直径は600mmで、真空吸引やカスタム溝のオプションも用意されています。精密機械加工により、平坦度偏差は0.01mm未満を実現し、GaN膜の均一性とLEDチップの歩留まりを向上させます。


特徴

炭化ケイ素セラミックトレイ(SiCトレイ)

シリコンカーバイド(SiC)材料をベースとした高性能セラミック部品で、半導体製造やLED製造などの高度な産業用途向けに設計されています。主な機能は、ウェーハキャリア、エッチングプロセスプラットフォーム、高温プロセスサポートなどであり、優れた熱伝導性、耐高温性、化学的安定性を活かして、プロセスの均一性と製品歩留まりを確保します。

主な特徴​​

1. 熱性能​​

  • 高い熱伝導率:140~300 W/m·Kで、従来のグラファイト(85 W/m·K)を大幅に上回り、急速な熱放散と熱応力の軽減を実現します。
  • 低熱膨張係数:4.0×10⁻⁶/℃(25〜1000℃)、シリコン(2.6×10⁻⁶/℃)とほぼ同等で、熱変形のリスクを最小限に抑えます。

2. 機械的特性

  • 高強度:曲げ強度≥320 MPa(20℃)、圧縮および衝撃に耐性があります。
  • 高硬度:モース硬度はダイヤモンドに次ぐ9.5で、優れた耐摩耗性を備えています。

3. 化学的安定性​​

  • 耐腐食性:強酸(HF、H₂SO₄など)に耐性があり、エッチングプロセス環境に適しています。
  • 非磁性: 固有磁化率 <1×10⁻⁶ emu/g なので、精密機器への干渉を回避できます。

4. 極限環境耐性​​

  • 高温耐久性:長期動作温度は1600~1900℃まで、短期耐性は2200℃まで(無酸素環境)。
  • 耐熱衝撃性:急激な温度変化(ΔT >1000℃)にも耐え、ひび割れません。

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アプリケーション

応用分野

具体的なシナリオ

技術的価値

半導体製造

ウェーハエッチング(ICP)、薄膜堆積(MOCVD)、CMP研磨

高い熱伝導率により均一な温度場が確保され、低い熱膨張によりウェハの反りが最小限に抑えられます。

LED生産

エピタキシャル成長(GaNなど)、ウェハダイシング、パッケージング

多種の欠陥を抑制し、LEDの発光効率と寿命を向上させます。

太陽光発電産業

シリコンウェーハ焼結炉、PECVD装置サポート

高温および熱衝撃耐性により、機器の寿命が延びます。

レーザーと光学

高出力レーザー冷却基板、光学系支持体

高い熱伝導率により急速な熱放散が可能になり、光学部品が安定します。

分析機器

TGA/DSCサンプルホルダー

低い熱容量と高速な熱応答により測定精度が向上します。

製品の利点​​

  1. 総合的なパフォーマンス: 熱伝導率、強度、耐腐食性はアルミナや窒化ケイ素セラミックをはるかに上回り、厳しい運用要求を満たします。
  2. 軽量設計:密度は3.1~3.2 g/cm³(鋼の40%)で、慣性負荷が軽減され、動作精度が向上します。
  3. 長寿命と信頼性:1600℃で5年以上の耐用年数を誇り、ダウンタイムが短縮され、運用コストが30%削減されます。
  4. カスタマイズ:精密アプリケーション向けに、平坦度誤差が 15 μm 未満の複雑な形状 (多孔質吸盤、多層トレイなど) をサポートします。

技術仕様​

パラメータカテゴリ

インジケーター

物理的特性

密度

≥3.10 g/cm³

曲げ強度(20℃)

320~410MPa

熱伝導率(20℃)

140~300 W/(m·K)

熱膨張係数(25~1000℃)

4.0×10⁻⁶/℃

化学的性質

耐酸性(HF/H₂SO₄)

24時間浸漬後も腐食なし

機械加工精度

平坦性

≤15 μm (300×300 mm)

表面粗さ(Ra)

≤0.4 μm

XKHのサービス

XKHは、カスタム開発、精密機械加工、厳格な品質管理に至るまで、包括的な産業ソリューションを提供しています。カスタム開発では、高純度(99.999%超)および多孔質(気孔率30~50%)の材料ソリューションを提供し、3Dモデリングおよびシミュレーションを組み合わせることで、半導体や航空宇宙などの用途における複雑な形状を最適化します。精密機械加工は、粉末処理 → 静水圧/乾式プレス → 2200℃焼結 → CNC/ダイヤモンド研削 → 検査という合理化されたプロセスで行われ、ナノメートルレベルの研磨と±0.01 mmの寸法公差を保証します。品質管理には、全工程テスト(XRD組成、SEM微細構造、3点曲げ)と技術サポート(プロセス最適化、24時間365日対応のコンサルティング、48時間以内のサンプル提供)が含まれており、高度な産業ニーズに対応する信頼性の高い高性能コンポーネントを提供しています。

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よくある質問(FAQ)

 1. Q: シリコンカーバイドセラミックトレイはどのような業界で使用されていますか?

A: 極めて高い耐熱性と化学的安定性を備えているため、半導体製造(ウェーハハンドリング)、太陽エネルギー(PECVDプロセス)、医療機器(MRI部品)、航空宇宙(高温部品)などで広く使用されています。

2. Q: シリコンカーバイドは石英/ガラストレイよりも優れている点は何ですか?

A: 耐熱衝撃性(クォーツの 1100°C に対して最大 1800°C)、磁気干渉ゼロ、長寿命(クォーツの 6 ~ 12 か月に対して 5 年以上)です。

3. Q: シリコンカーバイドトレイは酸性環境に耐えられますか?

A: はい。HF、H2SO4、NaOHに対する耐性があり、腐食レベルは年間0.01mm未満であるため、化学エッチングやウェハ洗浄に最適です。

4. Q: シリコンカーバイドトレイは自動化に対応していますか?

A: はい。真空ピックアップとロボットハンドリング向けに設計されており、表面の平坦度は0.01mm未満で、自動化工場での粒子汚染を防止します。

5. Q: 従来の材料と比較したコストはどのくらいですか?

A: 初期コストは高くなりますが (クォーツの 3 ~ 5 倍)、寿命が延び、ダウンタイムが短縮され、優れた熱伝導性によりエネルギーが節約されるため、TCO は 30 ~ 50% 低くなります。


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