炭化ケイ素セラミックトレイ吸盤 炭化ケイ素セラミックチューブ供給高温焼結カスタム加工
主な特徴:
1. 炭化ケイ素セラミックトレイ
- 高い硬度と耐摩耗性：硬度はダイヤモンドに近く、ウェーハ加工時の機械的摩耗に長期間耐えることができます。
- 高い熱伝導性と低い熱膨張係数：放熱が速く、寸法が安定しており、熱応力による変形を回避します。
- 高い平坦性と表面仕上げ：表面の平坦性はミクロンレベルに達し、ウェーハとディスク間の完全な接触を保証し、汚染や損傷を軽減します。
化学的安定性: 耐腐食性が強く、半導体製造におけるウェットクリーニングやエッチングプロセスに適しています。
2. 炭化ケイ素セラミックチューブ
- 高温耐性：1600℃以上の高温環境で長時間動作でき、半導体の高温プロセスに適しています。
優れた耐腐食性: 酸、アルカリ、さまざまな化学溶剤に耐性があり、過酷なプロセス環境に適しています。
- 高い硬度と耐摩耗性：粒子の侵食と機械的摩耗に耐え、耐用年数を延ばします。
- 高い熱伝導性と低い熱膨張係数：熱伝導が速く、寸法が安定しており、熱応力による変形やひび割れを軽減します。
製品パラメータ：
シリコンカーバイドセラミックトレイパラメータ：
| （材料特性） | （ユニット） | （原文のまま） | |
| （SiC含有量） | (重量)% | >99 | |
| （平均粒径） | ミクロン | 4-10 | |
| （密度） | kg/dm3 | >3.14 | |
| （見かけの気孔率） | 1%の音声 | <0.5 | |
| （ビッカース硬度） | HV 0.5 | GPa | 28 |
| *() 曲げ強度*（3点） | 20℃ | MPa | 450 |
| （圧縮強度） | 20℃ | MPa | 3900 |
| （弾性係数） | 20℃ | GPa | 420 |
| （破壊靭性） | MPa/m'% | 3.5 | |
| （熱伝導率） | 20℃ | W/(m*K) | 160 |
| （抵抗率） | 20℃ | オーム.cm | 106-108 |
（熱膨張係数） | （室温**...80℃） | K-1*10-6 | 4.3 |
（最高動作温度） | ℃ | 1700 | |
シリコンカーバイドセラミックチューブパラメータ：
| アイテム | 索引 |
| α-SIC | 99%以上 |
| 見かけ多孔度 | 最大16% |
| 嵩密度 | 2.7g/cm3分 |
| 高温での曲げ強度 | 100 MPa以上 |
| 熱膨張係数 | K-1 4.7x10 -6 |
| 熱伝導率（1400℃） | 24 W/mk |
| 最高動作温度 | 1650℃ |
主な用途:
1. 炭化ケイ素セラミック板
- ウェーハ切断および研磨：切断および研磨中に高精度と安定性を確保するためのベアリング プラットフォームとして機能します。
- リソグラフィー工程：露光中に高精度の位置決めを確保するために、ウェハはリソグラフィー装置内に固定されます。
- 化学機械研磨 (CMP): 研磨パッドのサポート プラットフォームとして機能し、均一な圧力と熱分散を実現します。
2. 炭化ケイ素セラミックチューブ
- 高温炉管：拡散炉や酸化炉などの高温装置に使用され、高温プロセス処理用のウェーハを搬送します。
- CVD/PVD プロセス: 反応室内のベアリングチューブとして、高温および腐食性ガスに耐えます。
- 半導体装置付属品：熱交換器、ガスパイプラインなどに使用され、装置の熱管理効率を向上させます。
XKHは、シリコンカーバイドセラミックトレイ、吸盤、シリコンカーバイドセラミックチューブの幅広いカスタムサービスを提供しています。シリコンカーバイドセラミックトレイと吸盤は、お客様のさまざまなサイズ、形状、表面粗さの要件に応じてカスタマイズでき、特殊なコーティング処理をサポートし、耐摩耗性と耐腐食性を高めます。シリコンカーバイドセラミックチューブの場合、XKHはさまざまな内径、外径、長さ、複雑な構造（異形チューブや多孔質チューブなど）をカスタマイズでき、研磨、酸化防止コーティングなどの表面処理プロセスを提供できます。XKHは、お客様がシリコンカーバイドセラミック製品の性能上の利点を最大限に活用し、半導体、LED、太陽光発電などのハイエンド製造分野の厳しい要件を満たすことを保証します。
詳細図
