2 インチ炭化ケイ素ウェハ 6H または 4H N タイプまたは半絶縁性 SiC 基板

2 インチシリコンカーバイドウェーハ 6H または 4H N タイプまたは半絶縁性 SiC 基板注目の画像

簡単な説明:

カーボランダムとしても知られる炭化ケイ素 (SiC) は、化学式 SiC で表されるシリコンと炭素を含む半導体です。 SiC は、高温または高電圧、あるいはその両方で動作する半導体電子デバイスに使用されます。SiC は重要な LED コンポーネントの 1 つでもあり、GaN デバイスを成長させるための一般的な基板であり、高温度領域でのヒートスプレッダとしても機能します。電源LED。

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製品詳細

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4H SiCウェハ N型

直径: 2インチ50.8mm | 4インチ100mm | 6インチ150mm

方向: 軸外 4.0° <1120> 方向 ± 0.5°

抵抗率: < 0.1 オーム・センチメートル

粗さ: Si 面 CMP Ra <0.5nm、C 面光学研磨 Ra <1 nm

4H SiCウェハ半絶縁性

直径: 2インチ50.8mm | 4インチ100mm | 6インチ150mm

方向: 軸上 {0001} ± 0.25˚

抵抗率: >1E5 ohm.cm

粗さ: Si 面 CMP Ra <0.5nm、C 面光学研磨 Ra <1 nm

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