基板
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SiCウェハ 4H-N 6H-N HPSI 4H-セミ 6H-セミ 4H-P 6H-P 3Cタイプ 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ 8インチ
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サファイアインゴット 3インチ 4インチ 6インチ 単結晶 CZ KY法 カスタマイズ可能
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2インチSiCシリコンカーバイド基板6H-Nタイプ0.33mm 0.43mm両面研磨高熱伝導性低消費電力
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GaAs高出力エピタキシャルウェーハ基板ガリウムヒ素ウェーハ出力レーザー波長905nmレーザー医療用
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GaAsレーザーエピタキシャルウエハ4インチ6インチVCSEL垂直共振器面発光レーザー波長940nm単一接合
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2インチ、3インチ、4インチ InP エピタキシャル ウェーハ基板 APD 光検出器（光ファイバー通信または LiDAR 用）
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合成サファイア素材で作られたサファイアリング透明でカスタマイズ可能モース硬度9
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サファイアプリズム サファイアレンズ 高透明度 Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 材料 光学機器
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サファイアリング すべてサファイアで作られたリング 透明なラボで作られたサファイア素材
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サファイアインゴット 直径4インチ×80mm 単結晶 Al2O3 99.999% 単結晶
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SiC基板 3インチ 350μm厚 HPSIタイプ プライムグレード ダミーグレード
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シリコンカーバイドSiCインゴット6インチNタイプダミー/プライムグレードの厚さはカスタマイズ可能