基板
-
2インチシリコンカーバイドウェーハ 6H-Nタイプ プライムグレード 研究グレード ダミーグレード 厚さ330μm 430μm
-
2インチシリコンカーバイド基板 6H-N 両面研磨 直径50.8mm 生産グレード 研究グレード
-
p型 4H/6H-P 3C-N型 SIC基板 4インチ 〈111〉± 0.5°ゼロ MPD
-
SiC基板 P型 4H/6H-P 3C-N 4インチ 厚さ350μm 量産グレード ダミーグレード
-
4H/6H-P 6インチSiCウェハ ゼロMPDグレード 量産グレード ダミーグレード
-
P型SiCウェハ 4H/6H-P 3C-N 6インチ 厚さ350μm プライマリフラットオリエンテーション付き
-
石英サファイアBF33ウェハのTVGプロセスガラスウェハの打ち抜き
-
単結晶シリコンウェーハ Si基板タイプ N/P オプション シリコンカーバイドウェーハ
-
N型SiC複合基板 直径6インチ 高品質単結晶および低品質基板
-
Si複合基板上の半絶縁性SiC
-
半絶縁SiC複合基板 直径2インチ 4インチ 6インチ 8インチ HPSI
-
合成サファイアブール単結晶サファイアブランク直径と厚さはカスタマイズ可能