150mm 200mm 6インチ 8インチ GaN on Silicon エピ層ウェハ窒化ガリウムエピタキシャルウェハ

6 インチの GaN エピ層ウェハは、シリコン基板上に成長した窒化ガリウム (GaN) の層で構成される高品質の半導体材料です。この材料は優れた電子輸送特性を備えており、高出力および高周波の半導体デバイスの製造に最適です。

製品詳細

製造プロセスには、有機金属化学気相成長法 (MOCVD) や分子線エピタキシー (MBE) などの高度な技術を使用して、サファイア基板上に GaN 層を成長させることが含まれます。堆積プロセスは、高い結晶品質と均一な膜を確保するために制御された条件下で実行されます。

6 インチ GaN-On-Sapphire アプリケーション: 6 インチサファイア基板チップは、マイクロ波通信、レーダーシステム、無線技術、オプトエレクトロニクスで広く使用されています。

1.RFパワーアンプ

2. LED照明産業

3. 無線ネットワーク通信機器

4. 高温環境にある電子機器

5. 光電子デバイス

・サイズ：基板直径は6インチ(約150mm)です。

・表面品質：表面は細かく研磨されており、鏡面品質に優れています。

- 厚さ: GaN 層の厚さは、特定の要件に応じてカスタマイズできます。

- 梱包: 輸送中の損傷を防ぐため、基板は帯電防止材料で慎重に梱包されています。

- 位置決めエッジ: 基板には、デバイス準備中の位置合わせと操作を容易にする特定の位置決めエッジがあります。

- その他のパラメータ: 薄さ、抵抗率、ドーピング濃度などの特定のパラメータは、顧客の要件に応じて調整できます。

優れた材料特性と多様な用途を備えた 6 インチサファイア基板ウェーハは、さまざまな産業における高性能半導体デバイスの開発にとって信頼できる選択肢です。