200mm 8 インチ GaN オンサファイアエピ層ウェハ基板
製品導入
8 インチ GaN オン サファイア基板は、サファイア基板上に成長した窒化ガリウム (GaN) 層で構成される高品質の半導体材料です。この材料は優れた電子輸送特性を備えており、高出力および高周波の半導体デバイスの製造に最適です。
製造方法
製造プロセスには、有機金属化学気相成長法 (MOCVD) や分子線エピタキシー (MBE) などの高度な技術を使用して、サファイア基板上に GaN 層をエピタキシャル成長させます。高い結晶品質と膜の均一性を確保するために、堆積は制御された条件下で実行されます。
アプリケーション
8 インチの GaN-on-Sapphire 基板は、マイクロ波通信、レーダーシステム、無線技術、オプトエレクトロニクスなどのさまざまな分野で広範な用途に使用されています。一般的なアプリケーションには次のようなものがあります。
1. RFパワーアンプ
2. LED照明産業
3. 無線ネットワーク通信機器
4. 高温環境用電子機器
5. O光電子デバイス
製品仕様
-寸法: 基板のサイズは直径 8 インチ (200 mm) です。
・表面品質：表面は高度に平滑に研磨されており、優れた鏡面品質を示します。
- 厚さ: GaN 層の厚さは、特定の要件に基づいてカスタマイズできます。
- 梱包: 輸送中の損傷を防ぐため、基板は帯電防止素材で慎重に梱包されています。
- オリエンテーション フラット: 基板には、デバイス製造プロセス中のウェーハの位置合わせと取り扱いを支援する特定のオリエンテーション フラットがあります。
- その他のパラメータ: 厚さ、抵抗率、ドーパント濃度の詳細は、顧客の要件に応じて調整できます。
優れた材料特性と多彩な用途を備えた 8 インチ GaN-on-Sapphire 基板は、さまざまな産業における高性能半導体デバイスの開発にとって信頼できる選択肢です。
GaN-on-Sapphire 以外に、当社はパワーデバイスアプリケーションの分野でも提供できます。製品ファミリーには、8 インチ AlGaN/GaN-on-Si エピタキシャル ウェーハおよび 8 インチ P キャップ AlGaN/GaN-on-Si エピタキシャルが含まれます。ウエハース。同時に、当社は独自の先進的な8インチGaNエピタキシー技術のマイクロ波分野への応用を革新し、高性能と大型サイズ、低コストを兼ね備えた8インチAlGaN/GAN-on-HR Siエピタキシーウェーハを開発しました。標準の 8 インチデバイス処理と互換性があります。シリコンベースの窒化ガリウムエピタキシャル材料に加え、AlGaN/GaN-on-SiCエピタキシャルウェーハの製品ラインも揃えており、シリコンベースの窒化ガリウムエピタキシャル材料に対するお客様のニーズにお応えします。
詳細図
