50.8mm 2インチ GaN サファイアエピ層ウェハ

簡単な説明：

第 3 世代の半導体材料である窒化ガリウムは、高温耐性、高い適合性、高い熱伝導率、広いバンドギャップという利点を持っています。異なる基板材料に応じて、窒化ガリウムエピタキシャルシートは、窒化ガリウムベースの窒化ガリウム、炭化ケイ素ベースの窒化ガリウム、サファイアベースの窒化ガリウム、およびシリコンベースの窒化ガリウムの4つのカテゴリに分類できます。シリコンベースの窒化ガリウムエピタキシャルシートは、製造コストが低く、成熟した製造技術を備えているため、最も広く使用されている製品です。

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製品の詳細

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窒化ガリウムGaNエピタキシャルシートの応用

窒化ガリウムの性能に基づいて、窒化ガリウムエピタキシャルチップは主に高出力、高周波、低電圧のアプリケーションに適しています。

それは以下に反映されます。

1) 高バンドギャップ: 高バンドギャップにより窒化ガリウムデバイスの電圧レベルが向上し、ガリウムヒ素デバイスよりも高い電力を出力できるため、特に 5G 通信基地局、軍用レーダー、その他の分野に適しています。

2) 高い変換効率: 窒化ガリウムスイッチングパワーエレクトロニクスデバイスのオン抵抗はシリコンデバイスよりも 3 桁低く、オンスイッチング損失を大幅に低減できます。

3）高い熱伝導率：窒化ガリウムの高い熱伝導率により、優れた放熱性能が得られ、高出力、高温およびその他の分野のデバイスの製造に適しています。

4) 破壊電界強度: 窒化ガリウムの破壊電界強度は窒化シリコンのそれに近いですが、半導体プロセス、材料の格子不整合およびその他の要因により、窒化ガリウムデバイスの耐電圧は通常約 1000V です。安全な使用電圧は通常 650V 未満です。

アイテム	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
寸法	e 50.8mm±0.1mm
厚さ	4.5±0.5μm		4.5±0.5μm
オリエンテーション	C面(0001) ±0.5°
伝導型	N型（アンドープ）	N型（Siドープ）	P型（Mgドープ）
抵抗率(300K)	< 0.5Q・cm	< 0.05Q・cm	～10Q・cm
キャリア濃度	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016cm^-3
可動性	～300cm²/対	～200cm²/対	～10cm²/対
転位密度	5x10未満⁸cm^-2(XRDのFWHMから計算)
基板構造	GaN on Sapphire（標準：SSP オプション：DSP）
使用可能な表面積	> 90%
パッケージ	クラス 100 のクリーンルーム環境で、窒素雰囲気下、25 個のカセットまたは枚葉式ウェーハコンテナにパッケージ化されます。