4 インチ高純度 Al2O3 99.999% サファイア基板ウェーハ Dia101.6×0.65mmt、一次平面長
説明
4インチサファイアウェーハの共通仕様を以下に紹介します。
厚さ: 一般的なサファイア ウェーハの厚さは 0.2 mm ～ 2 mm ですが、特定の厚さは顧客の要件に応じてカスタマイズできます。
配置エッジ: 通常、ウェーハのエッジには「配置エッジ」と呼ばれる小さなセクションがあり、ウェーハの表面とエッジを保護しており、通常はアモルファスです。
表面処理: 一般的なサファイア ウェーハは、表面を滑らかにするために機械的に研削され、化学機械的に研磨されます。
表面特性: サファイア ウェーハの表面は、通常、デバイスの性能を向上させるために、低反射率や低屈折率などの良好な光学特性を備えています。
アプリケーション
● III-V および II-VI 化合物の成長基質
● エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス
●IRアプリケーション
● シリコン・オン・サファイア集積回路(SOS)
● 無線周波数集積回路(RFIC)
仕様
| アイテム | 4インチ C面(0001) 650μm サファイアウェハ | |
| 水晶材料 | 99,999%、高純度、単結晶Al2O3 | |
| 学年 | プライム、エピ対応 | |
| 面の配向 | C面(0001) | |
| M 軸方向の C 面オフ角 0.2 +/- 0.1° | ||
| 直径 | 100.0mm +/- 0.1mm | |
| 厚さ | 650μm +/- 25μm | |
| プライマリフラット方向 | A面(11-20) +/- 0.2° | |
| 一次平面長さ | 30.0mm +/- 1.0mm | |
| 片面研磨 | 前面 | エピ研磨、Ra < 0.2 nm (AFM による) |
| (SSP) | 背面 | 微粉砕、Ra = 0.8 μm ～ 1.2 μm |
| 両面研磨 | 前面 | エピ研磨、Ra < 0.2 nm (AFM による) |
| (DSP) | 背面 | エピ研磨、Ra < 0.2 nm (AFM による) |
| TTV | < 20μm | |
| 弓 | < 20μm | |
| ワープ | < 20μm | |
| 洗浄・梱包 | クラス100のクリーンルーム洗浄と真空包装、 | |
| 25枚入り1カセット包装または単品包装。 | ||
当社にはサファイア加工業界で長年の経験があります。これには、中国のサプライヤー市場だけでなく、国際的な需要市場も含まれます。ご要望がございましたら、お気軽にお問い合わせください。
詳細図
