8 インチ 200mm サファイア ウェーハ キャリア基板 1SP 2SP 0.5mm 0.75mm
製造方法
8 インチのサファイア基板の製造プロセスにはいくつかのステップが含まれます。まず、高純度のアルミナ粉末を高温で溶解し、溶融状態を形成する。次に、種結晶を融液に浸し、種結晶をゆっくりと引き上げながらサファイアを成長させます。十分に成長した後、サファイア結晶は慎重に薄いウェーハに切断され、その後研磨されて滑らかで完璧な表面が得られます。
8 インチ サファイア基板の用途: 8 インチ サファイア基板は、半導体産業、特に電子デバイスや光電子部品の製造で広く使用されています。これは半導体のエピタキシャル成長の重要な基盤として機能し、高性能集積回路、発光ダイオード (LED)、およびレーザー ダイオードの形成を可能にします。サファイア基板は、光学窓、時計の文字盤、スマートフォンやタブレットの保護カバーの製造にも応用されています。
8インチサファイア基板の製品仕様
- サイズ: 8 インチのサファイア基板の直径は 200 mm で、エピタキシャル層の堆積により大きな表面積を提供します。
- 表面品質: 基板の表面は、表面粗さが 0.5 nm RMS 未満の高い光学品質を達成するために慎重に研磨されています。
・厚さ：基材の標準厚さは0.5mmです。ただし、ご要望に応じてカスタマイズされた厚さのオプションも利用可能です。
- パッケージング: サファイア基板は、輸送および保管中の保護を確保するために個別にパッケージ化されています。通常、それらは損傷を防ぐために適切な緩衝材を備えた特別なトレイまたは箱に置かれます。
- エッジ方向: 基板には指定されたエッジ方向があり、これは半導体製造プロセス中の正確な位置合わせに重要です。
結論として、8 インチのサファイア基板は多用途で信頼性の高い材料であり、その優れた熱的、化学的、光学的特性により半導体業界で広く使用されています。優れた表面品質と正確な仕様により、高性能電子デバイスや光電子デバイスの製造において重要なコンポーネントとして機能します。
詳細図
