電極サファイア基板およびウエハC面LED基板

簡単な説明:

サファイア技術の継続的な向上とアプリケーション市場の急速な拡大により、生産利用における固有の利点により、4 インチおよび 6 インチの基板ウェーハが主流のチップ企業にさらに採用されるようになるでしょう。

製品詳細

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仕様

一般的な
化学式	アルミナ
結晶構造	六方晶系（hk o 1）
単位セル寸法	a=4.758Å、Å c=12.991Å、c:a=2.730
物理的な
	メトリック	英語（帝国）
密度	3.98 g/cc	0.144 ポンド/インチ3
硬度	1525 - 2000 ヌープ、9モー	3700°F
融点	2310 K (2040° C)
構造的
抗張力	275MPa～400MPa	40,000～58,000 psi
20℃における引張強度		58,000 psi（設計最小値）
500℃での引張強度		40,000 psi（設計最小値）
1000℃での引張強度	355 MPa	52,000 psi（設計最小値）
曲げ強度	480MPa～895MPa	70,000～130,000 psi
圧縮強度	2.0 GPa（極限）	300,000 psi（究極）

半導体回路基板としてのサファイア

薄いサファイアウエハーは、シリコンを堆積させた絶縁基板を初めて使用して、サファイア基板上にシリコン・オン・サファイア（SOS）と呼ばれる集積回路を作製することに成功しました。サファイアは優れた電気絶縁性に加え、高い熱伝導性も備えています。サファイア基板上のCMOSチップは、携帯電話、公共安全帯無線、衛星通信システムなどの高出力無線周波数（RF）アプリケーションに特に適しています。

単結晶サファイアウェハは、半導体産業において窒化ガリウム（GaN）ベースのデバイスを成長させるための基板としても使用されています。サファイアはゲルマニウムの約7分の1のコストで製造できるため、コストを大幅に削減できます。サファイア基板上のGaNは、青色発光ダイオード（LED）に広く使用されています。