パターン化サファイア基板PSS 2インチ 4インチ 6インチ ICPドライエッチングはLEDチップに使用できます

1. LED製造：
光抽出効率の向上: PSS はパターン設計によって光損失を削減し、LED の明るさと発光効率を大幅に向上させます。

エピタキシャル成長品質の向上: パターン化された構造により、GaN エピタキシャル層の成長ベースが向上し、LED のパフォーマンスが向上します。

2. レーザーダイオード（LD）：
高出力レーザー: PSS の高い熱伝導性と安定性は高出力レーザーダイオードに適しており、放熱性能と信頼性が向上します。

低閾値電流: エピタキシャル成長を最適化し、レーザーダイオードの閾値電流を低減して効率を向上させます。

3. 光検出器：
高感度: PSS の高い光透過率と低い欠陥密度により、光検出器の感度と応答速度が向上します。

広いスペクトル応答: 紫外線から可視光線までの範囲での光電検出に適しています。

4. パワーエレクトロニクス：
高電圧耐性: サファイアの高い絶縁性と熱安定性は、高電圧電力デバイスに適しています。

効率的な放熱: 高い熱伝導率により、パワーデバイスの放熱性能が向上し、耐用年数が長くなります。

5. RFデバイス：
高周波性能: PSS の低い誘電損失と高い熱安定性は、高周波 RF デバイスに適しています。

低ノイズ: 高い平坦性と低い欠陥密度により、デバイスのノイズが低減され、信号品質が向上します。

6. バイオセンサー：
高感度検出：PSS の高い光透過率と化学的安定性は、高感度バイオセンサーに適しています。

生体適合性: サファイアは生体適合性があるため、医療や生物検出の用途に適しています。
GaNエピタキシャル材料を用いたパターン化サファイア基板（PSS）：

パターン化サファイア基板（PSS）は、GaN（窒化ガリウム）エピタキシャル成長に最適な基板です。サファイアの格子定数はGaNに近いため、エピタキシャル成長における格子不整合や欠陥を低減できます。PSS表面のマイクロナノ構造は、光抽出効率を向上させるだけでなく、GaNエピタキシャル層の結晶品質も向上させ、LEDの性能と信頼性を向上させます。