製品
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チタンドープサファイア結晶レーザーロッドの表面処理方法
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8インチ 200mm シリコンカーバイド SiC ウェハ 4H-N タイプ 生産グレード 500um 厚さ
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2インチ 6H-N シリコンカーバイド基板 SiC ウェーハ 両面研磨 導電性 プライムグレード MOS グレード
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200mm 8インチ GaN サファイアエピ層ウェーハ基板
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サファイアチューブKY法 全透明 カスタマイズ可能
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6インチ導電性SiC複合基板 4H 直径150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm
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ガラス穴あけ厚さ≤20mm用赤外線ナノ秒レーザー穴あけ装置
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マイクロジェットレーザー技術装置 ウェーハ切断 SiC材料加工
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シリコンカーバイドダイヤモンドワイヤー切断機 4/6/8/12インチ SiCインゴット加工
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1600℃の炭化ケイ素合成炉で高純度SiC原料を製造するCVD法
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シリコンカーバイド抵抗長結晶炉育成6/8/12インチインチSiCインゴット結晶PVT法
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ダブルステーションスクエアマシン単結晶シリコンロッド加工6/8/12インチ表面平坦度Ra≤0.5μm