2インチ 50.8mm サファイアウェハ C面 M面 R面 A面 厚さ 350um 430um 500um
異なる方向の指定
| オリエンテーション | C(0001)軸 | R(1-102)軸 | M(10-10) - 軸 | A(11-20)軸 | ||
| 物理的特性 | C 軸には結晶光があり、他の軸には負の光が含まれています。平面 C は平らであり、できればカットされています。 | R面はAより少し硬い。 | M面は階段状の鋸歯状で、切りにくく、切りやすいです。 | A 面の硬度は C 面の硬度よりも大幅に高く、耐摩耗性、耐傷性、高硬度に現れています。側面A面はジグザグ面となっており、切断しやすい面です。 | ||
| アプリケーション | C 配向サファイア基板は、窒化ガリウムなどの III-V および II-VI 堆積膜の成長に使用され、青色 LED 製品、レーザー ダイオード、赤外線検出器アプリケーションを製造できます。 | マイクロエレクトロニクス集積回路で使用される、さまざまな堆積シリコン系外結晶の R 方向基板成長。 | 主に、発光効率を向上させるために無極性/半極性 GaN エピタキシャル膜を成長させるために使用されます。 | 基板に配向することで均一な誘電率/媒体が生成され、ハイブリッド マイクロエレクトロニクス技術で高度な絶縁が使用されます。高温超伝導体は、A ベースの細長い結晶から製造できます。 | ||
| 処理能力 | パターンサファイア基板 (PSS) : 成長またはエッチングの形式で、ナノスケールの特定の規則的な微細構造パターンがサファイア基板上に設計および作成され、LED の光出力形式を制御し、サファイア基板上に成長する GaN 間の差異欠陥を低減します。 、エピタキシーの品質を向上させ、LEDの内部量子効率を高め、光抽出の効率を高めます。 さらに、サファイアプリズム、ミラー、レンズ、ホール、コーンおよびその他の構造部品は、顧客の要件に応じてカスタマイズできます。 | |||||
| プロパティの宣言 | 密度 | 硬度 | 融点 | 屈折率（可視および赤外） | 透過率(DSP) | 誘電率 |
| 3.98g/cm3 | 9(モース) | 2053℃ | 1.762～1.770 | ≥85% | C軸で11.58@300K(A軸で9.4） | |
詳細図
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