4H-N/6H-N SiCウェーハ 研究生産 ダミーグレード Dia150mm 炭化ケイ素基板
直径6インチの炭化ケイ素（SiC）基板仕様
| 学年 | ゼロ MPD | 生産 | 研究グレード | ダミーグレード |
| 直径 | 150.0mm±0.25mm | |||
| 厚さ | 4H-N | 350um±25um | ||
| 4H-SI | 500um±25um | |||
| ウェーハの向き | 軸上:<0001>±0.5° (4H-SI の場合) | |||
| プライマリーフラット | {10-10}±5.0° | |||
| 一次平坦長さ | 47.5mm±2.5mm | |||
| エッジの除外 | 3mm | |||
| TTV/ボウ/ワープ | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
| マイクロパイプ密度 | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
| 比抵抗 4H-N 4H-SI | 0.015～0.028Ω!cm | |||
| ≧1E5Ω!cm | ||||
| 粗さ | ポリッシュ Ra ≤1nm CMP Ra ≤0.5nm | |||
| #高輝度光によるクラック | なし | 1 個許容、≤2mm | 累積長さ≤10mm、単一の長さ≤2mm | |
| *高輝度光による六角プレート | 累積面積 ≤1% | 累積面積 ≤ 2% | 累積面積 ≤ 5% | |
| *高輝度光によるポリタイプ領域 | なし | 累積面積 ≤ 2% | 累積面積 ≤ 5% | |
| *&高輝度光による傷 | 3 つのスクラッチから 1 x ウェーハ直径の累積長さまで | 5 つのスクラッチから 1 x ウェーハ直径の累積長さまで | 5 スクラッチから 1 x ウェーハ直径の累積長さまで | |
| エッジチップ | なし | 3 個許容、それぞれ ≤0.5mm | 5 個許容、それぞれ ≤1mm | |
| 高強度の光による汚染 | なし
| |||
販売および顧客サービス
資材の購入
材料購買部門は、製品の製造に必要なすべての原材料を収集する責任があります。化学分析および物理分析を含む、すべての製品と材料の完全なトレーサビリティを常に利用できます。
品質
製品の製造または加工中および製造後は、品質管理部門がすべての材料と公差が仕様を満たすかそれを超えているかどうかを確認することに関与します。
サービス
当社には、半導体業界で 5 年以上の経験を持つセールス エンジニアリング スタッフがいることを誇りに思っています。彼らは技術的な質問に答え、お客様のニーズに合わせたタイムリーな見積もりを提供するよう訓練を受けています。
問題が発生した場合はいつでもあなたのそばにいて、10時間以内に解決します。
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