4H-N/6H-N SiCウェハー研究生産用ダミーグレード直径150mmシリコンカーバイド基板
直径6インチのシリコンカーバイド（SiC）基板仕様
| 学年 | ゼロMPD | 生産 | 研究グレード | ダミーグレード |
| 直径 | 150.0mm±0.25mm | |||
| 厚さ | 4H-N | 350μm±25μm | ||
| 4H-SI | 500μm±25μm | |||
| ウェーハの向き | 軸上:<0001>4H-SIの場合±0.5° | |||
| プライマリーフラット | {10-10}±5.0° | |||
| プライマリフラット長さ | 47.5mm±2.5mm | |||
| エッジ除外 | 3mm | |||
| TTV/ボウ/ワープ | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
| マイクロパイプ密度 | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
| 抵抗率 4H-N 4H-SI | 0.015～0.028Ω!cm | |||
| ≥1E5Ω!cm | ||||
| 粗さ | 研磨Ra≤1nm、CMPRa≤0.5nm | |||
| #高強度光によるひび割れ | なし | 1個まで許容、≤2mm | 累計長さ≤10mm、単長≤2mm | |
| *高輝度ライトによる六角プレート | 累積面積≤1% | 累積面積≤2% | 累積面積≤5% | |
| *高強度光によるポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤2% | 累積面積≤5% | |
| *高輝度光による傷 | 3つの傷から1 x ウェーハ直径の累積長さ | 5つの傷から1 x ウェーハ直径の累積長さ | 5つの傷から1 x ウェーハ直径の累積長さ | |
| エッジチップ | なし | 3個まで可能、各0.5mm以下 | 5個まで可能、各1mm以下 | |
| 高強度光による汚染 | なし
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営業およびカスタマーサービス
資材調達
資材購買部門は、お客様の製品の製造に必要なすべての原材料の調達を担当しています。すべての製品と材料の完全なトレーサビリティ（化学分析および物理分析を含む）は常に利用可能です。
品質
製品の製造または加工中および加工後に、品質管理部門はすべての材料と許容差が仕様を満たしているか、またはそれを上回っているかを確認します。
サービス
当社は、半導体業界で5年以上の経験を持つセールスエンジニアリングスタッフを擁していることを誇りに思っています。彼らは技術的なご質問にお答えするだけでなく、お客様のニーズに合わせたタイムリーなお見積りもご提供できるよう訓練されています。
問題が生じた際にはいつでも私たちが対応し、10 時間以内に解決します。
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