4H-semi HPSI 2インチ SiC基板ウェハ製造用ダミー研究グレード

4H-semi HPSI 2インチ SiC基板ウェーハ量産ダミー研究グレード注目の画像

簡単な説明：

2インチ炭化珪素単結晶基板ウエハは、優れた物理的・化学的特性を備えた高性能素材です。熱伝導性、機械的安定性、耐高温性に優れた高純度の炭化ケイ素単結晶材料で作られています。高精度の製造プロセスと高品質の材料により、このチップは多くの分野で高性能電子デバイスの製造に推奨される材料の 1 つです。

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製品の詳細

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半絶縁性炭化珪素基板SiCウエハ

炭化ケイ素基板は主に導電性タイプと半絶縁性タイプに分けられ、導電性炭化ケイ素基板からn型基板は主にエピタキシャルGaNベースのLEDおよびその他の光電子デバイス、SiCベースのパワーエレクトロニクスデバイスなどに使用されます。絶縁性SiC炭化ケイ素基板は、主にGaN高出力高周波デバイスのエピタキシャル製造に使用されます。さらに、高純度半絶縁体 HPSI と SI 半絶縁体は異なり、高純度半絶縁体キャリア濃度は 3.5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 の範囲で、高い電子移動度を備えています。半絶縁体は高抵抗材料であり、抵抗率が非常に高く、一般にマイクロ波デバイスの基板に使用され、非導電性です。

半絶縁性炭化珪素基板シートSiCウェハ

SiC の結晶構造は、Si や GaAs と比較して、SiC の物理的特性を決定します。禁制帯幅はSiの3倍近くと広く、デバイスが長期信頼性の下で高温で動作することを保証します。破壊電界強度が高く、Siの10倍であり、デバイスの電圧容量を確保し、デバイスの電圧値を向上させます。飽和電子速度が大きく、Si の 2 倍であるため、デバイスの周波数と電力密度が増加します。熱伝導率が高く、Siよりも高く、熱伝導率が高く、熱伝導率が高く、熱伝導率が高く、熱伝導率が高く、Siよりも、熱伝導率が高く、熱伝導率が高い。Siの3倍以上の高い熱伝導率により、デバイスの放熱能力が向上し、デバイスの小型化を実現します。