直径300x1.0mm厚サファイアウェハC面SSP/DSP
ウエハースボックスのご紹介
結晶材料 | 99,999% Al2O3、高純度、単結晶、Al2O3 | |||
クリスタルの品質 | 内包物、ブロックマーク、双晶、色、マイクロバブル、分散中心は存在しません | |||
直径 | 2インチ | 3インチ | 4インチ | 6インチ~12インチ |
50.8±0.1mm | 76.2±0.2mm | 100±0.3mm | 標準生産規定に従って | |
厚さ | 430±15µm | 550±15µm | 650±20µm | 顧客によるカスタマイズが可能 |
オリエンテーション | C面(0001)からM面(1-100)またはA面(1 1-2 0)まで0.2±0.1°/0.3±0.1°、R面(1-1 0 2)、A面(1 1-2 0)、M面(1-1 0 0)、任意の方向、任意の角度 | |||
プライマリフラット長さ | 16.0±1mm | 22.0±1.0mm | 32.5±1.5ミリメートル | 標準生産規定に従って |
プライマリフラットオリエンテーション | A面(1 1-2 0)±0.2° | |||
TTV | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm |
LTV | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm |
TIR | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm |
弓 | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm |
ワープ | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm |
前面 | エピ研磨(Ra< 0.2nm) |
*ボウ: 固定されていない自由なウェーハの中央面の中心点と基準面との偏差。基準面は正三角形の 3 つの角で定義されます。
*反り: 固定されていない自由なウェーハの中央面と上記で定義された基準面との最大距離と最小距離の差。
次世代半導体デバイスおよびエピタキシャル成長向けの高品質な製品とサービス:
高い平坦性(TTV、ボウ、ワープなどを制御)
高品質な洗浄(粒子汚染、金属汚染が少ない)
基板の穴あけ、溝入れ、切断、裏面研磨
基板の清浄度や形状などのデータの添付(オプション)
サファイア基板が必要な方はお気軽にお問い合わせください。
郵便:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522
できるだけ早くご連絡いたします!
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