製品
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4H-N 8インチSIC基質ウェーハ炭化シリコンダミー研究グレード500UM厚さ
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4H-N/6H-N SIC WAECH REFEARCH PRUDUTIONダミーグレードDIA150mmシリコン炭化物基板基板
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8インチ200mm炭化シリコンSICウェーファー4H-Nタイプ生産グレード500UM厚さ
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DIA300x1.0mmtの厚さサファイアウェーハCプレーンSSP/DSP
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8インチ200mmサファイア基板サファイアウェーハ薄さ1SP 2SP 0.5mm 0.75mm
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hpsi sic wafer dia：3インチの厚さ：パワーエレクトロニクスの場合は350um±25 µm
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8インチSIC炭化シリコンウェーハ4H-Nタイプ0.5mm生産グレード研究グレードカスタム洗練された基板
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シングルクリスタルAL2O3 99.999％DIA200mmサファイアウェーファー1.0mm 0.75mm厚さ
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156mm 159mm 6インチサファイアウェーハ用キャリアプレーンDSP TTV用
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C/A/M軸4インチサファイアウェーファーシングルクリスタルAL2O3、SSP DSP高硬度サファイア基板
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3インチ高純度半挿入
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PタイプSIC基質SICウェーハDIA2INCH新製品