6インチN型またはP型シリコンウェハ CZ Siウェハ

簡単な説明:

6 インチのシリコンウェーハは、集積回路の製造に広く使用されている一般的なシリコン基板材料です。これらのウェハは処理および洗浄されて、マイクロプロセッサ、メモリチップ、センサー、その他の電子デバイスなどのさまざまなタイプの集積回路が作成されます。 6 インチのシリコンウェーハの利点には、表面積が大きいこと、熱伝導率が高いこと、およびコストが比較的低いことが挙げられます。これらの特性により、6 インチシリコンウェーハは集積回路製造にとって理想的な選択肢の 1 つとなります。

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製品詳細

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ウエハースボックスのご紹介

シリコンウェーハの仕様:

6インチシリコンウェーハ成長：CZ、MCZ、FZ。

6 シリコンウェーハグレード: プライム、テスト、ダミーなど

6インチシリコンウェハー直径: 6インチ/150mm。

6インチシリコンウェハー厚さ: 200~3000um。

6インチシリコンウェーハ仕上げ：アズカット、ラッピング、エッチング、SSP、DSPなど。

6インチシリコンウェーハ方位：（100）（111）（110）（531）（553）など。

6インチシリコンウェーハオフカット：最大4deg。

6インチシリコンウェーハタイプ/ドーパント: P/B、N/Phos、N/As、N/Sb、真性。

6 インチシリコンウェーハ抵抗率: CZ/MCZ: 0.001 ～ 1000 ohm-cm。 FZ: 最大 20k ohm-cm。

6 インチシリコンウェーハ薄膜: (a)PVD: Al、Cu、Au、Cr、Si、Ni;、Fe、Mo など、コーティング厚さは最大 20,000 Å/5%。

(b)LPCVD/PECVD:酸化物、窒化物、SiCなど、コーティング厚さは最大200,000A/3%。

(c)シリコンエピタキシャルウェーハおよびエピタキシャルサービス(SOS、GaN、GOIなど)。

6インチシリコンウェーハプロセス: a.DSP、超薄型、超平面など。

b.小型化、バックグラインド、ダイシング等。c. MEMS。

2010年以来、上海XKHマテリアルテック。株式会社は、デバッグレベルのウェーハであるダミーウェーハ、テストレベルのウェーハであるテストウェーハから製品レベルのウェーハであるプライムウェーハ、さらには特殊ウェーハである酸化物ウェーハ、酸化膜、窒化物ウェーハSi3N4、アルミニウムメッキウェーハ、銅メッキシリコンウェーハ、SOIウェーハ、MEMSガラス、カスタマイズされた超厚ウェーハおよび超平坦ウェーハ、半導体ウエハの片面・両面研磨、薄化、ダイシング、MEMS等の加工・カスタマイズサービスを提供します。