8インチシリコンウェハー P/Nタイプ(100) 1-100Ωダミー再生基板
ウエハースボックスのご紹介
8 インチのシリコン ウェーハは、一般的に使用されるシリコン基板材料であり、集積回路の製造プロセスで広く使用されています。このようなシリコンウェーハは、マイクロプロセッサ、メモリチップ、センサー、その他の電子デバイスを含むさまざまなタイプの集積回路を製造するために一般的に使用されます。 8 インチのシリコン ウェーハは、比較的大きなサイズのチップの製造に一般的に使用され、表面積が大きく、1 枚のシリコン ウェーハにより多くのチップを製造できるため、生産効率の向上につながるなどの利点があります。 8 インチのシリコン ウェーハは、機械的および化学的特性も優れているため、大規模集積回路の製造に適しています。
製品の特徴
8インチP/Nタイプ、ポリッシュドシリコンウェハー(25枚)
方向: 200
比抵抗:0.1~40Ω・cm(ロットにより異なります)
厚さ: 725+/-20um
プライム/モニター/テストグレード
材料特性
パラメータ | 特性 |
種類/ドーパント | P、ホウ素N、リンN、アンチモンN、ヒ素 |
向き | <100>、<111> は顧客の仕様に従って方向をスライスします |
酸素含有量 | 1019ppmA 顧客の仕様に応じたカスタム許容差 |
炭素含有量 | < 0.6ppmA |
機械的特性
パラメータ | プライム | モニター/テストA | テスト |
直径 | 200±0.2mm | 200±0.2mm | 200±0.5mm |
厚さ | 725±20μm(標準) | 725±25μm(標準) 450±25μm 625±25μm 1000±25μm 1300±25μm 1500±25μm | 725±50μm(標準) |
TTV | < 5 μm | < 10 μm | < 15 μm |
弓 | < 30 μm | < 30 μm | < 50 μm |
包む | < 30 μm | < 30 μm | < 50 μm |
エッジの丸み | セミスタンダード | ||
マーキング | プライマリー SEMI-フラットのみ、SEMI-STD フラット Jeida フラット、ノッチ |
パラメータ | プライム | モニター/テストA | テスト |
フロントサイドの基準 | |||
表面状態 | 化学機械研磨 | 化学機械研磨 | 化学機械研磨 |
表面粗さ | < 2A° | < 2A° | < 2A° |
汚染 粒子@ >0.3 µm | = 20 | = 20 | = 30 |
ヘイズ、ピット オレンジピール | なし | なし | なし |
鋸、マーク 縞模様 | なし | なし | なし |
裏面の基準 | |||
ひび割れ、目じり、鋸跡、汚れ | なし | なし | なし |
表面状態 | 苛性エッチング |
詳細図
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