8インチシリコンウェハP/N型(100)1-100Ωダミー再生基板

簡単な説明:

両面研磨ウェーハを豊富に在庫しており、直径50mmから400mmまでのウェーハを取り扱っています。ご希望の仕様が在庫にない場合も、多くのサプライヤーと長期的な関係を築いており、お客様の独自の仕様に合わせてウェーハをカスタム製造いたします。両面研磨ウェーハは、シリコン、ガラス、その他半導体業界で一般的に使用される材料に使用できます。


製品詳細

製品タグ

ウエハースボックスのご紹介

8インチシリコンウェーハは、一般的に使用されているシリコン基板材料であり、集積回路の製造プロセスで広く使用されています。このようなシリコンウェーハは、マイクロプロセッサ、メモリチップ、センサー、その他の電子デバイスなど、さまざまな種類の集積回路の製造に広く使用されています。8インチシリコンウェーハは、比較的大きなサイズのチップの製造によく使用され、表面積が大きいこと、1枚のシリコンウェーハ上により多くのチップを製造できることなどの利点があり、生産効率が向上します。また、8インチシリコンウェーハは優れた機械的特性と化学的特性を備えているため、大規模集積回路の製造に適しています。

製品の特徴

8インチP/Nタイプ、研磨シリコンウェハ(25枚)

オリエンテーション: 200

抵抗率: 0.1 - 40 オーム・cm (ロットによって異なる場合があります)

厚さ: 725+/-20um

プライム/モニター/テストグレード

材料特性

パラメータ 特性
タイプ/ドーパント P、ホウ素N、リンN、アンチモンN、ヒ素
オリエンテーション <100>、<111> 顧客の仕様に応じてスライス方向を決定します
酸素含有量 1019ppmA 顧客の仕様に応じたカスタム許容範囲
炭素含有量 < 0.6 ppmA

機械的特性

パラメータ プライム モニター/テストA テスト
直径 200±0.2mm 200±0.2mm 200±0.5ミリメートル
厚さ 725±20µm(標準) 725±25µm(標準)450±25µm

625±25µm

1000±25µm

1300±25µm

1500±25µm

725±50µm(標準)
TTV 5µm未満 10µm未満 15µm未満
30µm未満 30µm未満 50µm未満
包む 30µm未満 30µm未満 50µm未満
エッジの丸め セミスタンダード
マーキング プライマリセミフラットのみ、セミスタンダードフラットジェイダフラット、ノッチ
パラメータ プライム モニター/テストA テスト
前面基準
表面状態 化学機械研磨 化学機械研磨 化学機械研磨
表面粗さ < 2 A° < 2 A° < 2 A°
汚染

粒子@ >0.3 µm

= 20 = 20 = 30
ヘイズ、ピット

オレンジの皮

なし なし なし
鋸、マーク

縞模様

なし なし なし
裏面基準
ひび割れ、カラスの足跡、鋸の跡、汚れ なし なし なし
表面状態 苛性エッチング

詳細図

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