8インチシリコンウェハP/N型(100)1-100Ωダミー再生基板
ウエハースボックスのご紹介
8インチシリコンウェーハは、一般的に使用されているシリコン基板材料であり、集積回路の製造プロセスで広く使用されています。このようなシリコンウェーハは、マイクロプロセッサ、メモリチップ、センサー、その他の電子デバイスなど、さまざまな種類の集積回路の製造に広く使用されています。8インチシリコンウェーハは、比較的大きなサイズのチップの製造によく使用され、表面積が大きいこと、1枚のシリコンウェーハ上により多くのチップを製造できることなどの利点があり、生産効率が向上します。また、8インチシリコンウェーハは優れた機械的特性と化学的特性を備えているため、大規模集積回路の製造に適しています。
製品の特徴
8インチP/Nタイプ、研磨シリコンウェハ(25枚)
オリエンテーション: 200
抵抗率: 0.1 - 40 オーム・cm (ロットによって異なる場合があります)
厚さ: 725+/-20um
プライム/モニター/テストグレード
材料特性
パラメータ | 特性 |
タイプ/ドーパント | P、ホウ素N、リンN、アンチモンN、ヒ素 |
オリエンテーション | <100>、<111> 顧客の仕様に応じてスライス方向を決定します |
酸素含有量 | 1019ppmA 顧客の仕様に応じたカスタム許容範囲 |
炭素含有量 | < 0.6 ppmA |
機械的特性
パラメータ | プライム | モニター/テストA | テスト |
直径 | 200±0.2mm | 200±0.2mm | 200±0.5ミリメートル |
厚さ | 725±20µm(標準) | 725±25µm(標準)450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25µm | 725±50µm(標準) |
TTV | 5µm未満 | 10µm未満 | 15µm未満 |
弓 | 30µm未満 | 30µm未満 | 50µm未満 |
包む | 30µm未満 | 30µm未満 | 50µm未満 |
エッジの丸め | セミスタンダード | ||
マーキング | プライマリセミフラットのみ、セミスタンダードフラットジェイダフラット、ノッチ |
パラメータ | プライム | モニター/テストA | テスト |
前面基準 | |||
表面状態 | 化学機械研磨 | 化学機械研磨 | 化学機械研磨 |
表面粗さ | < 2 A° | < 2 A° | < 2 A° |
汚染 粒子@ >0.3 µm | = 20 | = 20 | = 30 |
ヘイズ、ピット オレンジの皮 | なし | なし | なし |
鋸、マーク 縞模様 | なし | なし | なし |
裏面基準 | |||
ひび割れ、カラスの足跡、鋸の跡、汚れ | なし | なし | なし |
表面状態 | 苛性エッチング |
詳細図



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